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46 thèses classées par date d'inscription la plus récente depuis 1996

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Croissance de graphène et d’hétérostructures à base de graphène sur semiconducteur

Photo Roy Dagher

Co-Intégration de transistors HEMTs-GaN et CMOS-silicium

Photo Rémi Comyn

Réalisation de dispositifs MEMS autosupportés à base de 3C-SiC

Photo Rami Khazaka

Épitaxie en phase vapeur de carbure de silicium pour des applications en électronique

Photo Roxana Arvinte

Croissance et fabrication de LEDs semi- et non-polaires sur Si

Photo Michel Khoury

GaN semi-polaire - voie pour aller vers le substrat

Photo Florian Tendille

Développement de structures pour application Résonateurs MEMS à base de HEMTs GaN sur substrat silicium

Photo Paul Leclaire

Croissance de GaN sur silicium nanostructuré

Photo Guillaume Gommé

Caractérisation structurale et optique de structures à base de puits quantiques (Ga ,In)N à forte teneur en indium émettant dans le vert-jaune

Photo Sakhawat Hussain

Croissance et caractérisation de Nanofils de GaN

Photo Pierre-Marie Coulon

Développement d'hétérostructures HEMTs III-N pour applications en gamme d'onde millimétriques

Photo Stéphanie Rennesson

Etude de microcavités à base de ZnO fonctionnant en régime de couplage fort

Photo Feng Li

Hétérostructures Non Polaires Intégrées à base d’Oxydes (II-O) et de Nitrures (III-N) pour applications optoélectroniques

Photo YuanYang Xia

Microdisques Al(Ga)N contenant des boîtes quantiques GaN pour la nanophotonique UV: croissance, fabrication, caractérisation et applications

Photo Mohammad Junaebur Rashid

Croissance de Nitrure de Gallium sur substrat Silicium texturé

Photo Tasnia Hossain

Boites Quantiques GaN pour l'émission dans l'ultraviolet

Photo Abdelkarim Kahouli

Etude de la fabrication de nouveaux composants à base de nitrures de gallium (GaN) pour des applications de puissance

Photo Martin Jouk

Croissance épitaxiale des nitrures non polaires et propriétés optiques de puits et boîtes quantiques GaN/AlGaN et (Al,Ga,In)N/(Al,Ga)N

Photo Nasser Kriouche

Etude des nanostructures de semi-conducteurs à large bande interdite par Microscopie électronique en Transmission quantitative

Photo Maxim Korytov

Fabrication and study of nitride-based photonic nanocavities containing GaN quantum dots for UV emitters integrated on silicon

Photo Sylvain Sergent

Elaboration de structure laser à base de nitrures d'éléments III émettant dans le vert

Photo Pierre Demolon

Etude des mécanismes de croissance et des propriétés de couches minces d’AlN épitaxiées par EJM sur substrat silicium pour des applications de filtrage

Photo Jean-Christophe Moreno

Optimisation de la croissance épitaxiale d’hétérostructures dans la filière Nitrure de Gallium pour les applications aux transistors à effet de champ

Photo Nicolas Baron

Croissance et caractérisation d'hétérostructures basées sur du GaN plan A

Photo Tobias Guehne

Croissance par épitaxie sous jets moléculaires d’hétérostructures quantiques InGaAsN/GaAs

Photo Maxime Hugues

Croissance d'hétérostructures à base de GaN sur substrat Silicium (100)

Photo Sylvain Joblot

Elaboration de pseudo-substrats GaN

Photo Mohamed Azize

Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d’AlN

Photo Arnaud Le Louarn

Réalisation de structures GaN à polarité périodique en vue d’applications à l’optique non linéaire

Photo Sébastien Pezzagna

Diodes électroluminescentes blanches monolithiques

Photo Amélie Dussaigne

Etude de la relaxation dans le systme (Al,Ga)N et application aux diodes électroluminescentes cavité résonnante

Photo Jean-Marc Béthoux

Elaboration, étude et application d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN épitaxiées par jets moléculaires sur Si (111)

Photo Franck Natali

Hétéro-Epitaxie de Nitrure de Gallium sur Si(111)

Photo Eric Feltin

Composés III-V nitrurés : vers l’optoélectronique à 1,55 µm

Photo Marie-Amandine Pinault

Elaboration de diodes électroluminescentes et de miroirs sélectifs à base de nitrures d'éléments III pour diodes à cavité résonante

Photo David Schenk

Nanostructures (Al,Ga,In)N : croissance par épitaxie sous jets moléculaires, propriétés optiques, application aux diodes électroluminescentes

Photo Benjamin Damilano

Mécanismes d’injection et de recombinaison dans les diodes électroluminescentes à base de nitrures d’éléments III

Photo Stéphane Dalmasso

Optoélectronique visible et ultraviolette à base de semi-conducteurs II-VI à large bande interdite

Photo Florence Vigué

Croissance et caractérisation d'hétéro-structures ZnBeSe à large bande interdite

Photo Catherine Chauvet-Guibert

Croissance de nitrures d'éléments III par Epitaxie en Phase Vapeur d'Organo-Métalliques sur substrats 6H-SiC et Si(111) : applications aux transistors à effet de champ

Photo Hacène Lahrèche

Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001)

Photo Stéphane Vézian

Epitaxie par jets chimiques : application à la croissance de structures mixtes arséniures-phosphures et de nitrures d'éléments III

Photo Magali Mesrine

Croissance optimisée de GaN et AlxGa1-xN pour l'élaboration de composants optoélectroniques

Photo Soufien Haffouz

Croissance et caractérisation d'hétérostructures Zn(Mg)BeSe, nouveaux matériaux pour émission laser bleu

Photo Valérie Bousquet

Etude d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI à base de ZnSe élaboré en Epitaxie par Jets Moléculaires

Photo Céline Ongaretto

Etude et fabrication d'un laser bleu à base d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI

Photo Christian Morhain