18 thèses en cours

Nanophotonique quantique avec des matériaux 2D

Photo Aberrahim Lamrani Aloui

Développement de machines d'inspection et de métrologie de semi-conducteurs incorporant des métasurfaces

Photo Amir Loucif

Microlentilles à base de métasurfaces pour les pixels de capteurs d’images

Photo Martin Lepers

LiDAR à l’aide de métasurfaces optiques

Photo Emil Marinov

Croissance de graphène sur Germanium sur isolant : fabrication, propriétés et applications

Photo Chiara Mastropasqua

Epitaxie et étude des propriétés de matériaux hybrides NbN supraconducteur /III-N

Photo Antoine Pedeches

Développement d’hétérostructures de Nitrures d’Eléments III riches en Aluminium pour dispositifs électroniques de puissance latéraux

Photo Reda El Waradi

Métasurfaces électroluminescentes directionnelles de nitrures d’éléments III (AlGaN) dopées avec des boîtes quantiques

Photo Nikita Nikitskiy

Développements technologiques de composants à base de GaN sur Silicium pour la fabrication d’amplificateurs de puissance pour les réseaux télécoms haut-débit 5G et +

Photo Elodie Carneiro

Métasurfaces reconfigurables dans les matériaux à changement de phase

Photo Fouad Bentata

Croissance épitaxiale d’hétérostructures HEMTs ScAlN/GaN

Photo Caroline Elias

Photonique intégrée avec des semi-conducteurs nitrures d'éléments III

Photo Nagesh Bhat

Diodes électroluminescentes flexibles à base de nanofils

Photo Julien Bosch

Développement de matériaux à base de nitrure d’aluminium et application à la réalisation de diodes électroluminescentes ultra-violettes

Photo Aly Zaiter

Intégration des oxydes ferromagnétiques à haute polarisation de spin avec les composés 2D et ZnO Nanostructures 1D: croissance, structure, propriétés et premiers démonstrateurs

Photo Ismail Madaci
  • Doctorant : Ismail Madaci
  • Directeur de thèse : Yves Dumont (GEMAC)
  • Université : Versailles saint Quentin en Yvelines
  • Date d'incription : 01/02/2020

De la nano hétéroépitaxie aux micro LEDs à base de GaN

Photo Kilian Baril

Emetteurs de photons uniques aux longueurs d’onde télécom à base de GaN : injection électrique à température ambiante

Photo Max Meunier

Études à l'échelle atomique des effets d'un fort dopage en O et Si sur les propriétés des films III

Photo Valéria Bonito Oliva