Le pôle épitaxie regroupe les différentes activités de croissance qui constituent la base de la recherche menée au CRHEA. Il est constitué de 13 chercheurs et 8 ingénieurs autour de réacteurs d'épitaxie adaptés la croissance de matériaux à grand gap, en particulier des nitrures d'éléments III, mais aussi SiC et ZnO ainsi que des matériaux 2D tels que le graphène.

Les différents équipements se distinguent par le type de méthode d’épitaxie, soit par jets moléculaires sous ultra-vide (MBE/EJM, 8 réacteurs) soit par phase vapeur (CVD ou MOCVD, 6 réacteurs).

Bâti de croissance EJM Bâti de croissance MOCVD

On peut ensuite encore les différencier par les matériaux épitaxiés et les types de sources, leur géométrie, leur capacité (de 2’’ à 8’’), ou encore les températures accessibles (jusqu’à 1700°C). Le tableau ci-dessous renvoie vers un descriptif des différents réacteurs, classés par méthode de croissance et par matériau.

Réacteurs MBE (8)

Réacteur Matériaux Capacité Spécificités Financements/projets Remarques
Riber Compact 21 ZnMgO 3" Plasma O Zoterac (FET-Open)
Riber Compact 21T Nitrures 4" NH3, plasma N GraNitE, OptoTeraGaN, Destinee, ED-GaN, GoSiMP, BREAkuP, ShoGaN, NEMSGaN
Riber 32P Nitrures, terres rares 2" Sources Gd et Sm
Riber C21S Nitrures 3" NH3, haute température Projets ANR
Riber R32P (JB) Nitrures 3" Dopage Mg NanoGaNUV Jumelé avec Riber R32P (BD)
Riber R32P (BD) Nitrures 3" Obelix, Duvet, Napoli Jumelé avec Riber R32P (JB)
Riber Epineat ZnMgO 3" Plasma N, O Plug-And-Bose, ZONE
Riber 49 Nitrures 8" NH3, Plasma N Partenariats industriels

Réacteurs CVD/MOCVD (6)

Réacteur Matériaux Capacité Spécificités Financements/projets Remarques
Aixtron 6 Nitrures 8" Showerhead GaNex
Thomas Swan CCS Nitrures 4" Showerhead
R1 (réacteur maison) SiC, graphène 2" Haute température Graphmet, GoSiMP, Granite
Aixtron 200 Nitrures 2" Horizontal
Vertical (réacteur maison) Nitrures 2" Ligne O2 NanoGaNUV
R5 (réacteur maison) Nitrures 2" Haute température GaNex