Note : saisir un seul critère par champ de recherche

4 publications classées par date - Critères de recherche: Le Louarn

⋄ AlN buffer layer growth for GaN epitaxy on (1 1 1) Si: Al or N first?

A. Le Louarn, S. Vézian, F. Semond and J. Massies
J. Cryst. Growth, 311, 3278, (2009) - Papier régulier

⋄ Growth of AlGaN/GaN HEMTs on Silicon Substrates by MBE

F. Semond, Y. Cordier, F. Natali, A. Le Louarn, S. Vézian, S. Joblot, S. Chenot, N. Baron, E. Frayssinet, J.C. Moreno, J. Massies
MRS symposium proceedings, 1068, 51-56, (2008) - Article de conférence

⋄ Selective epitaxial growth of AlN and GaN nanostructures on Si(111) by using NH3 as nitrogen source

S. Vézian, A. Le Louarn and J. Massies
J. Cryst. Growth, 303, 419, (2007) - Papier régulier

⋄ Inhomogeneous broadening of AlGaN/GaN quantum wells

F. Natali, D. Byrne, M. Leroux, B. Damilano, F. Semond, A. Le Louarn, S. Vézian, N. Grandjean, and J. Massies
Phys. Rev. B, 71, 75311, (2005) - Papier régulier