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8 publications classées par date - Critères de recherche: Khazaka

⋄ Designing SiC Based CMUT Structures: An Original Approach and Related Materials Issues

M. Portail, S. Chenot, M. Ghorbanzadeh-Bariran, R. Khazaka, L. Nguyen, D. Alquier and J.F. Michaud
Mat. Sci. For., 1062, 94-98, (2022) - Article de conférence

⋄ Turning the undesired voids in silicon into a tool: In-situ fabrication of free-standing3C-SiC membranes

R. Khazaka, J.-F. Michaud, P. Vennéguès, D. Alquier, and M. Portail
Appl. Phys. Lett., 110, 081602, (2017) - Papier régulier
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⋄ On the interplay between Si(110) epilayer atomic roughness and subsequent 3C-SiCgrowth direction

R. Khazaka, J.-F. Michaud, P. Vennéguès, L. Nguyen, D. Alquier, and M. Portail
J. Appl. Phys., 120, 185306, (2016) - Papier régulier
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⋄ Realization of minimum number of rotational domains in heteroepitaxied Si(110) on 3C-SiC(001)

R. Khazaka, M. Grundmann, M. Portail, P. Vennéguès, M. Zielinski, T. Chassagne, D. Alquier, and J.F. Michaud
Appl. Phys. Lett., 108, 011608, (2016) - Papier régulier
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⋄ Toward high-quality 3C–SiC membrane on a 3C–SiC pseudo-substrate

R. Khazaka, E. Bahette, M. Portail, D. Alquier, J.-F. Michaud
Mater. Lett., 160, 28-30, (2015) - Papier régulier
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⋄ Direct insight into grains formation in Si layers grown on 3C-SiC by chemical vapor deposition

R. Khazaka, M. Portail, P. Vennéguès, D. Alquier, J.F. Michaud
Acta Mater., 98, 336, (2015) - Papier régulier
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⋄ Structural investigation of Si quantum dots grown by CVD on AlN/Si(111) and 3C-SiC/Si(100) epilayers

R. Dagher, R. Khazaka, S. Vézian, M. Teisseire, A. Michon, M. Zielinski, T. Chassagne, Y. Cordier, M. Portail
Mat. Sci. For., 821-823, 1003, (2015) - Article de conférence

⋄ Silicon growth on 3C-SiC(001)/Si(001): pressure influence and thermal effect

R. Khazaka, M. Portail, P. Vennéguès, M. Zielinski, T. Chassagne, D. Alquier, J.F. Michaud
Mat. Sci. For., 821-823, 978, (2015) - Article de conférence