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9 publications classées par date - Critères de recherche: Arvinte

⋄ Electrical Transport Properties of Highly Aluminum Doped p-Type 4H-SiC

S. Contreras, L. Konczewicz, P. Kwasnicki, R. Arvinte, H. Peyre, T. Chassagne, M. Zielinski, M. Kayambaki, S. Juillaguet, K. Zekentes
Mat. Sci. For., 858, 249-252, (2016) - Article de conférence
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⋄ p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Aluminum

M. Zielinski, R. Arvinte, T. Chassagne, A. Michon, M. Portail, P. Kwasnicki, L. Konczewicz, S. Contreras, S. Juillaguet, H. Peyre
Mat. Sci. For., 858, 137-142, (2016) - Article de conférence - invité
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⋄ Optical characterization of p-type 4H-SiC epilayers

G. Liaugaudas, D. Dargis, P. Kawasnicki, H. Peyre, R. Arvinte, S. Juillaguet, M. Zielinski, K. Jarašiūnas
Mat. Sci. For., 821-823, 249-252, (2015) - Article de conférence
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⋄ Comparative studies of n-type 4H-SiC: Raman vs Photoluminescence spectroscopy

P. Kwasnicki, R. Arvinte, H. Peyre, M. Zielinski, S. Juillaguet
Mat. Sci. For., 821-823, 237-240, (2015) - Article de conférence

⋄ Raman investigation of heavily Al doped 4H-SiC layers grown by CVD

P. Kwasnicki, R. Arvinte, H. Peyre, M. Zielinski,L. Konczewicz, S. Contreras, J. Camassel and S. Juillaguet
Mat. Sci. For., 806, 51, (2015) - Article de conférence
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⋄ Determination of carrier lifetime and diffusion length in Al-doped 4H–SiC epilayers by time-resolved optical techniques

G. Liaugaudas, D. Dargis, P. Kwasnicki, R. Arvinte, M. Zielinski, K. Jarašiūnas
J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 025103, (2015) - Papier régulier

⋄ Influence of site competition effects on dopant incorporation during chemical vapor deposition of 4H-SiC epitaxial layers

R. Arvinte, M. Zielinski, T. Chassagne, M. Portail, A. Michon, P. Kwasnicki, S. Juillaguet, H. Peyre
Mat. Sci. For., 821-823, 149, (2015) - Article de conférence
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⋄ Investigation of Aluminium incorporation in 4H-SiC epitaxial layers

R. Arvinte, M. Zielinski, T. Chassagne, M. Portail, A. Michon, P. Kwasnicki, S. Juillaguet and H. Peyre
Mat. Sci. For., 45, 806, (2015) - Article de conférence

⋄ Characterization of Ge-doped homoepitaxial layers grown by chemical vapor deposition

T. Sledziewski, S. Beljakowa, K. Alassaad, P. Kwasnicki, R. Arvinte, S. Juillaguet, M. Zielinski, V. Souliere, G.Ferro, H.B. Weber, M. Krieger
Mat. Sci. For., 778-780, 261, (2014) - Article de conférence
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