Faits marquants Electro
Le CRHEA dans le projet européen GaN4AP (12/2021)
Le projet GaN4AP a pour objectif ambitieux de faire de l'électronique à base de GaN l'un des principaux composants d'un large éventail de systèmes de conversion de puissance, avec la possibilité de réduire considérablement les pertes d'énergie dans les systèmes électroniques de puissance, tout en garantissant un fonctionnement à haute fréquence et à densité de puissance plus élevée. Grâce à cet effort commun, une grande variété d'applications bénéficiera d'une augmentation des performances, sans sacrifier la taille et le coût du système.
Record de densité de puissance dans un HEMT RF sur substrat GaN (2019)
Le développement industriel de transistors à haute mobilité électronique
(HEMT) performants et fiables sur du GaN de haute qualité cristalline
est entravé par le manque de substrats GaN de grande taille et disponibles
à un coût raisonnable.Dans ce contexte, la croissance des structures HEMTs GaN sur des substrats GaN autosupportés commerciaux précédemment développés pour les diodes électroluminescentes à haute luminosité a été étudiée comme une alternative pour les applications électroniques à haute fréquence.
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HEMT GaN à canal mince sur AlN avec une tenue en tension de 10 kV (2019)
L'AlN est étudié en tant que nouveau socle pour des transistors à
haute mobilité électronique (HEMT) en vue d’applications électroniques
haute puissance et haute tension.Grâce à une très grande énergie de bande interdite autour de 6 eV et à une conductivité thermique élevée, un tel semi-conducteur est très prometteur pour surmonter les limitations rencontrées avec les dispositifs électroniques à base de GaN
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Croissance MOCVD de structures HEMT RF GaN sur 3C-SiC/Si (2018)
La production en volume d'hétérostructures de transistors à haute
mobilité électronique (HEMT) GaN à haute performance sur des substrats
de grand diamètre est un point clé pour le développement à grande
échelle de télécommunications à haute fréquence comme la 5G.Malgré la grande disponibilité de substrats de silicium à faible coût, la réactivité de surface élevée et le grand décalage dans le paramètre de réseau cristallin et le coefficient de dilatation thermique avec GaN rendent la croissance délicate.
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Absorption inter-sous-bande de THz dans des hétérostructures à base de GaN épitaxiées sur un substrat de silicium (2018)
Les hétérostructures AlGaN / GaN présentent des caractéristiques intéressantes
pour les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme
TeraHertz (THz):
- la possibilité de construire des hétérostructures périodiques avec des niveaux d'énergie séparés avec quelques dizaines de meV
- une grande énergie de phonons optiques qui peut permettre l'inversion de la population d'électrons dans des lasers à cascade quantique (QCL) à température ambiante
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Transition de phase optique dans les métamatériaux quantiques semi-conducteurs (2018)
La direction de la lumière réfractée à l'interface entre deux milieux
suit généralement la loi de Snell-Descartes conventionnelle. En empilant des couches métalliques et diélectriques d'épaisseur sous-longueur d'onde pour former des métamatériaux, il est possible de réaliser un comportement inattendu tel qu'une réfraction négative.
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