Les semiconducteurs sont la base d’un très grand nombre de composants électroniques performants, que ce soit pour les télécommunications, la gestion des énergies ou la fabrication de capteurs destinés à différents environnements. Dans ce contexte, l’équipe ELECTRO développe l’épitaxie de films de Nitrures d’Eléments III, d’Oxydes de Zinc et de Magnésium, de Carbure de Silicium et de Matériaux 2D tels que le Graphène. L’équipe héberge l’activité épitaxie SiC de la société NOVASiC et travaille au développement de l’épitaxie sous jets moléculaires de Nitrures d’Elements III avec la Société RIBER depuis la création du laboratoire commun PTC-GaN en 2003.

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