La société NOVASiC (basée au Bourget du Lac, 73) est un leader mondial dans le polissage de matériau, notamment de Carbure de Silicium (SiC). Dans le but d’étendre ses compétences et son activité sur le Carbure de Silicium, NOVASiC a depuis 2001 sur le site du CRHEA une activité commune Novasic-CRHEA dans le domaine des réacteurs de croissance et l’épitaxie.

Depuis sa création (1983) le laboratoire entretient une collaboration étroite avec la société française Riber (basée à Rueil Malmaison, 92) qui est devenue le premier constructeur mondial de réacteurs d’Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM). Un exemple d’action récente (1997-2000) est le développement d’une nouvelle série de machines EJM R&D (série « Compact 21 ») dont le prototype à été conçu et mis au point en partenariat avec le CRHEA.
Ce partenariat constant s’est traduit par la mise en place en 2003 sur le site du CRHEA d’un Laboratoire Commun Riber-CRHEA sur le thème de l’Epitaxie par Jets Moléculaires du Nitrure de Gallium (GaN)

Société française créée en 1985 pour la production industrielle de films minces de semiconducteurs III-V (selon la technique d’Epitaxie par Jets Moléculaires - EJM) pour la fabrication de composants électroniques, Picogiga est un des leaders mondiaux du domaine. Un contrat de collaboration de recherche entre le CRHEA et Picogiga à été initié en Juin 2000 et s’est traduit par la mise en place à Picogiga (2000-2003) du procédé de croissance EJM du Nitrure de Gallium sur substrat de Silicium mis au point au CRHEA (brevet N° publication EP1290721). Picogiga a été racheté par SOITEC en 2003.

OMMIC est un fournisseur de circuits MMIC, une fonderie et fournisseur de couches épitaxiées basés sur des matériaux III-V (GaAs, GaN et InP). En tant que leader des technologies de pointe, OMMIC fournit à ses clients des performances de pointe pour les applications de télécommunications, spatiales et de défense. Les installations de conception et de fabrication d'OMMIC sont basées près de Paris, en France.

Le CRHEA collabore avec STMicroelectronics (Crolles et Tours) dans différents programmes liés au Nitrure de Gallium sur Silicium (GaN / Si).

Une collaboration au long cours est établie, depuis la création du laboratoire, avec Thales Recherche & Technologie (ex Laboratoire Central de Thomson-CSF). Un exemple récent de réalisation en partenariat concerne la fabrication de détecteurs UV à base d’alliages de Nitrure de Gallium et de Nitrure d’Aluminium.

La mission de III-V Lab est d'effectuer des travaux de recherche et développement sur les composants semi-conducteurs III-V et d'intégration avec circuits et micro-systèmes Si, de la recherche fondamentale au transfert de technologie pour l'industrialisation ou la production pilote.
III-V Lab profite des points communs entre les technologies développées pour les différents marchés abordés par Thales et Alcatel-Lucent tels que les télécoms, l'espace, la défense et la sécurité (par exemple, fibre optique haut débit et télécommunications sans fil, hyperfréquences et photonique pour la défense, la sécurité et l’espace).