Brevets (6)

- Une publication A1 est une demande de brevet européen publiée avec le rapport de recherche
- Un document A2 correspond à cette demande publiée sans le rapport de recherche
- Le rapport de recherche est publié plus tard en tant que document A3
- Le brevet délivré est publié en tant que document B
FR3047841 (B1)
25/05/2018
⋄ Transducteur électromécanique à base de nitrure de gallium dopé
M. Faucher, Y. Cordier
FR3047841 (A1), WO2017140664 (A1)
FR3049946 (B1)
13/04/2018
⋄ Procédé de fabrication d’une cavité auto-scellée délimitée par une membrane de carbure de silicium
R. Khazaka, M. Portail, J-F. Michaud, D. Alquier
FR3049946 (A1), WO2017174709 (A1)
FR3017242 (B1)
01/09/2017
⋄ Diode Schottky verticale au nitrure de gallium
Y. Arnaud, D. Alquier, Y. Cordier
CN104821341 (A), CN204516775 (U), FR3017242 (A1), US2015221782 (A1)
FR2977260 (B1)
19/07/2013
⋄ Procédé de fabrication d'une couche épitaxiale épaisse de nitrure de gallium sur un substrat de silicium ou analogue et couche obtenue par ledit procédé
D. Schenk, A. Bavard, E. Frayssinet, M. Kennard, D. Rondi, Y. Cordier
CN103828019 (A), CN103828019 (B), EP2727133 (A1), FR2977260 (A1), US2014327013 (A1), JP2014527707 (A), KR20140096018 (A), TW201305397 (A), TWI468562 (B), US9093271 (B2), WO2013001014 (A1)
WO2013084020 (A1)
13/06/2013
⋄ Transistor à haute mobilité électronique normalement ouvert et circuit intégré
C. Caramel, Y. Cordier, P. Renaud
FR 2963985 (A1)
24/02/2012
⋄ Diode Shottky verticale au nitrure de Gallium
D. Alquier, Y. Arnaud, Y. Cordier, E. Frayssinet, M. Kennard