Note : saisir un seul critère par champ de recherche

6 publications classées par date - Critères de recherche: Bhat

⋄ ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications

Seif EL WHIBI, Nagesh BHAT, Yassine FOUZI, Nicolas DEFRANCE, Jean-Claude DE JAEGER, Zahia BOUGRIOUA, Florian BARTOLI, Maxime HUGUES, Yvon CORDIER, Marie LESECQ
Appl. Phys. Express., 18, 046501, (2025) - Papier régulier
Article en ligne (HAL) : cliquez ici...

⋄ III-Nitride Semiconductors are more flexible than other compound semiconductors for integrated photonics and efficient nonlinear interactions

M. Gromovyi, N. Bhat, H. Tronche, P. Baldi, M. El Kurdi, X. Checoury, A. Reserbat-Plantey, M. T. Dau, M. Al Khalfioua, B. Alloing, F. Semond, B. Damilano, and P. Boucaud
Proc. SPIE, 13366, 1336601, (2025) - Article de conférence - invité
Article en ligne (HAL) : cliquez ici...

⋄ Perspectives for III-nitride photonic platforms

Philippe Boucaud, Nagesh Bhat, Maksym Gromovyi, Moustafa El Kurdi, Antoine Reserbat-Plantey, Minh Tuan Dau, Mohamed Al Khalfioui, Blandine Alloing, Benjamin Damilano and Fabrice Semond
Nano Futures, 8, 022001, (2024) - Papier invité
Article en ligne (HAL) : cliquez ici...

⋄ GaN/AlN bilayers for integrated photonics

Nagesh Bhat, Maksym Gromovyi, Moustafa El Kurdi, Xavier Checoury, Benjamin Damilano, AND Philippe Boucaud
Opt. Mater. Express, 14, 792, (2024) - Papier régulier
Article en ligne (HAL) : cliquez ici...

⋄ Intrinsic polarity inversion in III-nitride waveguides for efficient nonlinear interactions

M. GROMOVYI, N. BHAT, H. TRONCHE, P. BALDI, M. EL KURDI, X. CHECOURY, B. DAMILANO, AND P. BOUCAUD
Opt. Express, 31, 31397, (2023) - Papier régulier
Article en ligne (HAL) : cliquez ici...

⋄ Low-loss GaN-on-insulator platform for integrated photonics

M. GROMOVYI, M. EL KURDI, X. CHECOURY, E. HERTH,F. TABATABA-VAKILI, N. BHAT, A. COURVILLE, F. SEMOND, AND P. BOUCAUD
Opt. Express, 30, 20737, (2022) - Papier régulier
Article en ligne (HAL) : cliquez ici...