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Bienvenue sur le site du Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications (CRHEA - UPR 10)
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Photo du laboratoire dans la pinède

CNRS-CRHEA
rue Bernard Grégory
06560 VALBONNE
Tél: 04.93.95.42.00
Fax: 04.93.95.83.61

Annonces

Congrès : Polaritonique à JMC15 (08/2016)

Logo JMC15 Le CRHEA coorganise avec l'Institut Néel de Grenoble, un colloque sur la polaritonique lors des Journées 2016 de la Matière Condensée (JMC15) à Bordeaux. Voir le flyer... (en anglais). Lire la suite sur le site de JMC15...

Congrès : E-MRS 2016 spring meeting (05/2016)

Logo E-MRS Le CRHEA coorganise un symposium sur les Matériaux à Large Bande Interdite pour les composants électroniques. Lire la suite sur le site E-MRS.... Voir le flyer...

Idex : le projet UCAJedi décroche un Idex (01/2016)

Logo Idex UCA, Université Côte d’Azur, la communauté d’universités et d’établissements d’enseignement supérieur récemment créée sur le territoire azuréen, comptant parmi les 25 regroupements universitaires et scientifiques français, et ses partenaires décrochent avec le projet UCAJedi, le très sélectif Programme d’Investissement d’Avenir « IDEX ». En savoir plus...

Actualités

Projet : début du projet GoSiMP (02/2017)

Logo GoSiMP Le projet GoSiMP a été sélectionné dans le cadre de l’appel à projets ASTRID 2016 opéré par l’ANR. Coordonné par le CRHEA et en partenariat avec l’IEMN (Lille) et le GREMAN (Tours), le projet vise à optimiser l’hétéroépitaxie de HEMTs AlGaN/GaN sur Silicium et la technologie des transistors pour des applications à 40 GHz et au-delà. Lire la suite …

MBE 2016 : Prix Al Cho (09/2016)

Prix Al Cho 2016 Lors de la 19ème conférence internationale MBE à Montpellier (4-9/09/2016), Jean Massies a été récompensé par le prix Al Cho pour l’ensemble de sa carrière et son travail précurseur sur l'Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM) de GaAs, de GaN et de couches métalliques. Voir le site de la conférence...

Un microlaser pour l'ultraviolet profond (04/2016)

Schéma microlaser Les équipes de 4 laboratoires, dont le CRHEA, ont réalisé le premier microlaser fonctionnant dans l'ultra-violet profond, une plage spectrale pour de nombreuses applications en photo-chimie et désinfection bactérienne, mais complexe à atteindre avec des matériaux semi-conducteurs. Lire la suite...

Publications récentes

Dislocation densities reduction in MBE-grown AlN thin films by high-temperature annealing
J. Cryst. Growth 461 (2017) 10-15
Turning the undesired voids in silicon into a tool: In-situ fabrication of free-standing 3C-SiC membranes
Appl. Phys. Lett. 110 (2017) 081602
Recent advances in planar optics: from plasmonic to dielectric metasurfaces
Optica 4 (1) (2017) 139-152
High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates
Phys. Stat. Sol. A  (2017) 
Polarity in GaN and ZnO: Theory, measurements, growth and devices
Appl. Phys. Rev. 3 (2016) 041303
III-Nitride-on-silicon microdisk lasers from the blue to the deep ultra-violet
Appl. Phys. Lett. 109 (2016) 231101

Séminaires

Aucun séminaire programmé actuellement

Postes à pourvoir

Thèses : (3)

Propriétés de transport dans les hétérostructures ZnO/ZnMgO
Lasers à base de ZnO: des VCELS aux lasers à polaritons
Jonctions tunnel dans les hétérostructures de matériaux nitrures pour applications optoélectroniques

Stages : (2)

Simulation et analyse d’images de Microscopie Electronique en Transmission de Nitrures d’éléments III fortement dopés
Boîtes Quantiques AlyGa1-yN pour LEDs UV

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