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48 brevets avec des chercheurs du CRHEA comme inventeurs classés par date - Critères de recherche:

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EP3311394 (B1)
19/01/2022

⋄ Procédé permettant d'obtenir sur un substrat cristallin une couche semi-polaire de nitrure de groupe III

M. El Khoury Maroun, G. Feuillet, P. Vennéguès, J. Zúñiga-Pérez
FR3037711 (A1), FR3037713 (A1), FR3037713 (B1), JP2018520977 (A), US11139167 (B2), US2018182622 (A1), WO2016202899 (A1)

US11139167
05/10/2021

⋄ Growth of semipolar GaN on facetted silicon pilar-like structures for Led

J. Zúñiga-Pérez, P. Vennéguès, G. Feuillet

WO2020254695 (A1)
24/12/2020

⋄ Procédé de réalisation de vignettes de nitrure destinées chacune à former un dispositif électronique ou optoélectronique

G. Feuillet, B. Alloing, H. Bono, R. Dagher, J. Zúñiga-Pérez, M. Charles, J. Buckley, R. Escoffier
FR3097681 (A1), FR3097681 (B1)

FR3091022 (B1)
11/12/2020

⋄ Procédé de fabrication de structures optoélectroniques pourvues de diodes électroluminescentes coplanaires

G.Feuillet, B. Damilano, J.Y. Duboz, C. Largeron
FR3091022 (A1), CN111354757 (A), EP3671842 (A1), US2020203556 (A1)

FR3093862 (A1)
18/09/2020

⋄ Structure semi-conductrice optoélectronique comprenant une couche d’injection de type p à base d’InGaN

D. Sotta, M. Rozhavskaia, B. Damilano
CN113272972 (A), EP3939097 (A1), TW202101784 (A), WO2020182457 (A1)

US2019285547 (A1)
19/09/2019

⋄ Device and method for providing illumination for total-internal-reflection fluorescence microscopy using opaque mask

A. Giacomotti, M. Brunstein, A. Cattoni, S. Bouchoule, B. Damilano, D. Lefebvre
EP3465320 (A1), EP3465320 (B1), FR3051921 (A1), FR3051921 (B1), JP2019522814 (A), JP6918023 (B2), US11047799 (B2), WO2017207360 (A1)

US2018327929 (A1)
15/11/2018

⋄ Method for producing nanostructures

S. Vézian, B. Damilano, J. Brault
CN107849735 (A), EP3307927 (A1), FR3037341 (A1), JP2018526230 (A), JP6772192 (B2), KR20180017124 (A), US11085130 (B2), WO2016198341 (A1)

FR3031833 (B1)
05/10/2018

⋄ Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice à base de nitrures d’éléments III passivée et une telle structure

F. Semond, J. Massies, E. Frayssinet
CN107408492 (A), EP3248212 (A1), FR3031833 (A1), US2018012753 (A1), JP2018509754 (A), KR20170105598 (A), WO2016116713 (A1)

FR3031834 (B1)
05/10/2018

⋄ Fabrication d’un support semi-conducteur à base de nitrures d’éléments III

F. Semond, J. Massies, E. Frayssinet
FR3031834 (A1), CN107251189 (A), EP3248213 (A1), JP2018509755 (A), KR20170102022 (A), US2018019120 (A1), WO2016116715 (A1)

US10043871 (B1)
07/08/2018

⋄ Rare earth nitride and group-III-nitride structure or device

F. Natali, S. Vézian

FR3051921 (B1)
01/06/2018

⋄ Dispositif et procédé d'éclairage pour microscopie de fluorescence à onde évanescente

A. Giacomotti, M. Brunstein, A Cattoni, S. Bouchoule, B. Damilano, D. Lefebvre
WO2017207360 (A1)

FR3059147 (A1)
25/05/2018

⋄ Hétérostructures semi-conductrices avec structure de type wurtzite sur substrat en ZnO

J. Brault, M. Al Khalfioui, B. Damilano, J.M. Chauveau
WO201809150(A1)

FR3047841 (B1)
25/05/2018

⋄ Transducteur électromécanique à base de nitrure de gallium dopé

M. Faucher, Y. Cordier
FR3047841 (A1), WO2017140664 (A1)

FR3049946 (B1)
13/04/2018

⋄ Procédé de fabrication d’une cavité auto-scellée délimitée par une membrane de carbure de silicium

R. Khazaka, M. Portail, J-F. Michaud, D. Alquier
FR3049946 (A1), WO2017174709 (A1)

FR3032064 (B1)
09/03/2018

⋄ Dispositif optoélectronique et son procédé de fabrication

J. Zúñiga-Pérez, S. Scaringella, B. Amstatt
EP3248227 (A1), FR3032064 (A1), WO2016116703 (A1), US2018277717 (A1)

FR3044464 (B1)
09/02/2018

⋄ Procédé permettant d'obtenir sur un substrat cristallin une couche semi-polaire de nitrure

G. Feuillet, M. Khoury, P. Vennéguès, J. Zúñiga-Pérez
KR20180088878 (A), FR3044464 (A1), WO2017093359 (A1)

FR3019380 (B1)
01/09/2017

⋄ Pixel semiconducteur, matrice de tels pixels, structure semiconductrice pour la réalisation de tels pixels et leurs procédés de fabrication

B. Damilano, J-Y. Duboz
EP3127159 (A1), FR3019380 (A1), US2017213868 (A1), JP2017513225 (A), KR20160139004 (A), WO2015150281 (A1)

FR3017242 (B1)
01/09/2017

⋄ Diode Schottky verticale au nitrure de gallium

Y. Arnaud, D. Alquier, Y. Cordier
CN104821341 (A), CN204516775 (U), FR3017242 (A1), US2015221782 (A1)

FR3048002 (A1)
25/08/2017

⋄ Method making it possible to obtain a semi-polar nitride layer on a crystalline substrate

G. Feuillet, M. Khoury, P. Vennéguès, J. Zúñiga-Pérez
US2018182622 (A1)

FR3038714 (B1)
25/08/2017

⋄ Spectromètre multicanal munie d'une couche photosensible à gradient latéral de composition

J-Y. Duboz
FR3038714 (A1), WO2017005511 (A1)

FR3037713 (B1)
09/06/2017

⋄ Procédé permettant d'obtenir sur un substrat cristallin une couche semi-polaire de nitrure obtenu avec l'un au moins parmi les matériaux suivants: gallium (Ga) et aluminium (Al)

M. Khoury, G. Feuillet, P. Vennéguès, J. Zúñiga-Pérez
EP3311394 (A1), FR3037711 (A1), FR3037713 (A1), US2018182622 (A1), JP2018520977 (A), WO2016202899 (A1)

CN106460229 (A)
22/02/2017

⋄ Doped rare earth nitride materials and devices comprising same

F. Natali, B.J. Ruck, H.J. Trodahl, S. Vézian
EP3127146 (A2), EP3127146 (A4), JP2017511294 (A), KR20170005409 (A), US2017022632 (A1), WO2015152737 (A2), WO2015152737 (A3)

FR3037341 (A1)
16/12/2016

⋄ Procédé de fabrication d'au moins un type de nanostructures et structures comprenant une pluralité de telles nanostructures

S. Vézian, B. Damilano, J. Brault
EP3307927 (A1), CN107849735 (A), JP2018526230 (A), KR20180017124 (A), WO2016198341 (A1)

FR3003402 (B1)
04/11/2016

⋄ Dispositif monolithique émetteur de lumière

B. Damilano, H. Kim-Chauveau, E. Frayssinet, J. Brault, P. De Mierry, S. Chenot, J. Massies
CN105122475 (A), CN105122475 (B), EP2973754 (A1), FR3003402 (A1), US2016043272 (A1), JP2016513878 (A), WO2014140118 (A1)

FR3001334 (B1)
06/05/2016

⋄ Procédé de fabrication de diodes blanches monolithiques

G. Nataf, P. de Mierry, S. Chenot
CN105051917 (A), CN105051917 (B), EP2948987 (A1), FR3001334 (A1), US2016005918 (A1), JP2016508668 (A), US9728673 (B2), WO2014114731 (A1)

FR3021454 (A1)
27/11/2015

⋄ Procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur incluant une couche de nitrure d'élément III semi-polaire

P. de Mierry, F. Tendille, P. Vennéguès
EP3146558 (A1), US2017092482 (A1), JP2017522721 (A), WO2015177220 (A1)

FR2977260 (B1)
19/07/2013

⋄ Procédé de fabrication d'une couche épitaxiale épaisse de nitrure de gallium sur un substrat de silicium ou analogue et couche obtenue par ledit procédé

D. Schenk, A. Bavard, E. Frayssinet, M. Kennard, D. Rondi, Y. Cordier
CN103828019 (A), CN103828019 (B), EP2727133 (A1), FR2977260 (A1), US2014327013 (A1), JP2014527707 (A), KR20140096018 (A), TW201305397 (A), TWI468562 (B), US9093271 (B2), WO2013001014 (A1)

WO2013084020 (A1)
13/06/2013

⋄ Transistor à haute mobilité électronique normalement ouvert et circuit intégré

C. Caramel, Y. Cordier, P. Renaud

FR 2963985 (A1)
24/02/2012

⋄ Diode Shottky verticale au nitrure de Gallium

D. Alquier, Y. Arnaud, Y. Cordier, E. Frayssinet, M. Kennard

FR2926675 (B1)
29/07/2011

⋄ Méthode d'obtention d'un matériau structuré d'ouvertures traversantes, en particulier de nitrures de semi-conducteurs de type III structurés selon des motifs de cristaux photoniques

S. David, P. Boucaud, F. Semond
EP2232314 (A1), FR2926675 (A1), EP2232314 (B, US2011084310 (A1), WO2009092981 (A1)

US7560296 (B2)
14/07/2009

⋄ Process for reducing an epitaxial layer of gallium nitride

E. Frayssinet, B. Beaumont, J.P. Faurie, P. Gibart
US2007072320 (A1), US2010001289 (A1), US8030101 (B2)

FR2908925 (B1)
20/02/2009

⋄ Procédé d'intégration d'un composant de type III-N tel que du GaN, sur un substrat de silicium (001) nominal

S. Joblot, F. Semond, J. Massies, Y. Cordier, J-Y. Duboz
FR2908925 (A1), US2008149936 (A1), US7785991 (B2)

FR2898434 (B1)
23/05/2008

⋄ Diode électroluminescente blanche monolithique

J. Massies, B. Damilano
EP1994571 (A1), FR2898434 (A1), US2011045623 (A1), JP2009530803 (A), KR20080104368 (A), US2009101934 (A1), US8470618 (B2), WO2007104884 (A1)

FR2888398 (B1)
21/12/2007

⋄ Couche de siliciumtrès sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche

P. Soukiassian, F. Semond
EP1900012 (A1), FR2888398 (A1), US2009294776 (A1), JP2008544945 (A), WO2007003638 (A1)

US7118929 (B2)
10/10/2006

⋄ Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride

E. Frayssinet, B. Beaumont, J.P. Faurie, P. Gibart
US2004137732 (A1)

FR2807909 (B1)
28/07/2006

⋄ Couche mince semi-conductrice de GaInN, son procédé de préparation; DEL comprenant cette couche et dispositif d'éclairage comprenant celle DEL

J. Massies, N. Grandjean, B. Damilano
AU5048601 (A), CA2405517 (A1), CA2405517 (C), CN1422444 (A), EP1273049 (A1), EP1273049 (B1), FR2807909 (A1), FR2807909 (B1), JP2003530703 (A), JP5296280 (B2), KR100900933 (B1), KR20030001405 (A), US2003092209 (A1), US6730943 (B2), WO0178157 (A1), AT524836 (T)

FR2860248 (B1)
17/02/2006

⋄ Procédé de réalisation de substrats autosupportés de nitrures d'éléments III par hétéro épitaxie sur une couche sacrificielle

E. Feltin, Z. Bougrioua, G. Nataf
WO2005031045 (A3), AT414189 (T), AU2004276541 (A1), AU2004276541 (B2), CA2540245 (A1), CA2540245 (C), CN100387760 (C), CN1882720 (A), EP1699951 (A2), EP1699951 (B1), FR2860248 (A1), WO2005031045 (A2), JP2007506635 (A), JP4783288 (B2), KR20060079249 (A), US2007072396 (A1), US7282381 (B2)

FR2842832 (B1)
20/01/2006

⋄ Procédé de réalisation par épitaxie en phase vapeur d'un film de nitrure de gallium à faible densité de défaut

B. Beaumont, P. Gibart, J.P. Faurie
AU2003269052 (A1), AU2003269052 (A8), CN1329560 (C), CN1678771 (A), EP1525340 (A2), EP1525340 (B1), FR2842832 (A1), AT525499 (T), HK1097886 (A1), JP2005534182 (A), JP4444104 (B2), KR100950903 (B1), KR20050026962 (A), US2006099781 (A1), US7455729 (B2), WO2004012227 (A2), WO2004012227 (A3)

FR2860101 (B1)
21/10/2005

⋄ Protection de la surface du SiC par une couhe de GaN

B. Daudin, J. Brault
AT532213 (T) EP1517368 (A2) EP1517368 (A3) EP1517368 (B1) FR2860101 (A1), JP2005097104 (A), JP4745635 (B2), US2005202284 (A1), US7354619 (B2)

FR2840452 (B1)
14/10/2005

⋄ Procédé de réalisation par épitaxie d'un film de nitrure de gallium séparé de son substrat

H. Lahreche, G. Nataf, B. Beaumont
AU2003255613 (A1), AU2003255613 (A8), EP1514297 (A2), FR2840452 (A1), JP2010251776 (A), JP2005527978 (A), US2005217565 (A1), US7488385 (B2), WO03100839 (A2), WO03100839 (A3)

FR2810159 (B1)
08/04/2005

⋄ Couche épaisse de nitrurede gallium ou de nitrure mixte de gallium et d'un autre métail, procédé de préparation et dispositif électronique ou optoélectroniue comprenant un telle couche

F. Semond, N. Grandjean, J. Massies
CN101241883 (B), AU6613101 (A), CA2411606 (A1), CA2411606 (C), CN100380588 (C), CN1436365 (A), EP1290721 (A1), EP1290721 (B1), FR2810159 (A1), CN101241883 (A), JP2003536257 (A), JP5378634 (B2), KR100897589 (B1), KR20030007896 (A), US2003136333 (A1), US2008048207 (A1), US2008050894 (A1), US2008185611 (A2), US2008188065 (A2), US7273664 (B2), US7767307 (B2), US7776154 (B2), WO0195380 (A1)

FR2803433 (B1)
14/02/2003

⋄ Procédé de réalisation d'une grille métallique enterrée dans une structure en matériau semiconducteur

J. Guyaux, J.C. Garcia, J. Massies
FR2803433 (A1)

US6445009 (B1)
03/09/2002

⋄ Stacking of GaN or GaInN quantum dots on a silicon substrate, their preparation procedure electroluminescent device and lighting device comprising these stackings

N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano, F. Semond, M. Leroux

FR2769924 (B1)
10/03/2000

⋄ Procédé de réalisation d'une couche épitaxiale de nitrure de gallium, couche épitaxiale et composant optoélectronique muni d'une telle couche

B. Beaumont, P. Gibart, J.C. Guillaume, G. Nataf, M. Vaille, S. Haffouz
US6325850 (X6) AT303462 (T) AT500358 (T) AU9632498 (A) CN1267587 (C), CN1279733 (A), CN1329954 (C), CN1607641 (A), DE69831419 (T2), EP1034325 (A1), EP1034325 (B1), EP1034325 (B9), EP1338683 (A2), EP1338683 (A3), EP1338683 (B1), ES2369467 (T3), FR2769924 (A1), US6325850 (B1), HK1075131 (A1), JP2001520169 (A), JP4282896 (B2), KR100626625 (B1), KR20010031225 (A), PT1338683 (E), SG103342 (A1), US2002152952 (A1), US6802902 (B2), WO9920816 (A1)

FR2769924 (B1)
10/03/2000

⋄ Procédé de réalisation d'une couche épitaxiale de nitrure de gallium, couche épitaxiale de nitrure de gallium et composant électronique muni d'une telle couche

S. Haffouz,P. Gibart, B. Guillaume, G. Nataf, M. Vaille, B. Beaumont
AT303462 (T) AT500358 (T) AU9632498 (A) CN1267587 (C) CN1279733 (A), CN1329954 (C), CN1607641 (A), DE69831419 (T2), EP1034325 (A1), EP1034325 (B1), EP1034325 (B9), EP1338683 (A2), EP1338683 (A3), EP1338683 (B1), FR2769924 (A1), ES2369467 (T3), HK1075131 (A1), JP2001520169 (A), JP4282896 (B2), KR100626625 (B1), KR20010031225 (A), PT1338683 (E), SG103342 (A1), US2002152952 (A1), US6325850 (B1), US6802902 (B2), WO9920816 (A1)

FR2757183 (B1)
05/02/1999

⋄ Fils atomiques de grande longueur et de grande stabilité, procédé de fabrication de ces fils, application en nano-électronique

G. Dujardin, A. Mayne, F. Semond, P. Soukiassian
AT235743 (T), DE69720249 (T2), DK0944916 (T3), EP0944916 (A1), EP0944916 (B1), FR2757183 (A1), US6274234 (B), JP2001506806 (A), JP4327254 (B2), WO9827578 (A1)

FR2693594 (B1)
26/08/1994

⋄ Détecteur d'ondes électromagnétiques à puits quantiques

P. Bois, E. Rosencher, B. Vinter, J. Massies, G. Neu, N. Grandjean
EP0578557 (A1), FR2693594 (A1), US5506418 (A)

FR3048002 (A1)

⋄ Procédure permettant d'obtenir sur un substrat cristallin une couche semi-polaire de nitrure

G. Feuillet, M. Khoury, P. Vennéguès, J. Zúñiga-Pérez
WO2017144429 (A1)