1) Spectres de réflectivité et de photoluminescence de GaN non polaire en orientation (11-20)
Spectres de réflectivité (en échelle linéaire) et de photoluminescence (en échelle log) de GaN non polaire en orientation (11-20). La lumière est polarisée soit perpendiculairement à l’axe c soit parallèlement. La confrontation des données de réflectivité et de luminescence permet d’identifier les excitons libres.

2) Spectres de photoluminescence à 9K de boîtes quantiques polaires Al0.5Ga0.5N/GaN
Spectres de photoluminescence à 9K de boîtes quantiques polaires Al0.5Ga0.5N/GaN pour une intensité d’excitation variant sur 4 décades. L’écrantage progressif de l’effet Stark se traduit par un décalage vers le bleu de 600 meV.

3) Microfils de GaN présentant des inversions de polarité azote / gallium
Données obtenues sur des microfils de GaN présentant des inversions de polarité azote / gallium ; (a) image MEB ; (b) image CL en mode panchromatique à 300K ; (c et d) cartographies hyperspectrales réalisées sur le microfil, centrées sur le maximum d’intensité de la transition de bord de bande à 3,4eV pour (c) et pour le maximum d’intensité de la bande jaune à 2,2eV pour (d).


4) Spectres de micro-photoluminescence et images MEB de microfils de GaN
(a-c) images MEB de microfils de GaN ; (b) spectres de µPL enregistrés à 300K sur deux microfils présentant des diamètres différents, mettant en évidence des modes de galerie.

Les appareils utilisés sont décrits dans la page caractérisation du CRHEA.