18 thèses en cours

Nanophotonique quantique avec des matériaux 2D

Photo Aberrahim Lamrani Aloui

Développement de machines d'inspection et de métrologie de semi-conducteurs incorporant des métasurfaces

Photo Amir Loucif

Interférométrie à décalage quadrilatéral pour la caractérisation de fronts d'onde complexes. Application aux métasurfaces

Photo Yanel Tahmi

Microlentilles à base de métasurfaces pour les pixels de capteurs d’images

Photo Martin Lepers

LiDAR à l’aide de métasurfaces optiques

Photo Emil Marinov

Croissance de graphène sur Germanium sur isolant : fabrication, propriétés et applications

Photo Chiara Mastropasqua

Epitaxie et étude des propriétés de matériaux hybrides NbN supraconducteur /III-N

Photo Antoine Pedeches

Métasurfaces électroluminescentes directionnelles de nitrures d’éléments III (AlGaN) dopées avec des boîtes quantiques

Photo Nikita Nikitskiy

Développements technologiques de composants à base de GaN sur Silicium pour la fabrication d’amplificateurs de puissance pour les réseaux télécoms haut-débit 5G et +

Photo Elodie Carneiro

Métasurfaces reconfigurables dans les matériaux à changement de phase

Photo Fouad Bentata

Croissance épitaxiale d’hétérostructures HEMTs ScAlN/GaN

Photo Caroline Elias

Photonique intégrée avec des semi-conducteurs nitrures d'éléments III

Photo Nagesh Bhat

Diodes électroluminescentes flexibles à base de nanofils

Photo Julien Bosch

Développement de matériaux à base de nitrure d’aluminium et application à la réalisation de diodes électroluminescentes ultra-violettes

Photo Aly Zaiter

Intégration des oxydes ferromagnétiques à haute polarisation de spin avec les composés 2D et ZnO Nanostructures 1D: croissance, structure, propriétés et premiers démonstrateurs

Photo Ismail Madaci
  • Doctorant : Ismail Madaci
  • Directeur de thèse : Yves Dumont (GEMAC)
  • Université : Versailles saint Quentin en Yvelines
  • Date d'incription : 01/02/2020

De la nano hétéroépitaxie aux micro LEDs à base de GaN

Photo Kilian Baril

Emetteurs de photons uniques aux longueurs d’onde télécom à base de GaN : injection électrique à température ambiante

Photo Max Meunier

Études à l'échelle atomique des effets d'un fort dopage en O et Si sur les propriétés des films III

Photo Valéria Bonito Oliva