71 thèses classées par date d'incription la plus récente depuis 1996 - Critères de recherche:

Développements technologiques de composants à base de GaN sur Silicium pour la fabrication d’amplificateurs de puissance pour les réseaux télécoms haut-débit 5G et +

Photo Elodie Carneiro

Croissance épitaxiale d’hétérostructures HEMTs ScAlN/GaN

Photo Caroline Elias
  • Doctorant : Caroline Elias
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse : Maxime Hugues
  • Date de soutenance : 18/12/2023

Photonique intégrée avec des semi-conducteurs nitrures d'éléments III

Photo Nagesh Bhat
  • Doctorant : Nagesh Bhat
  • Directeur de thèse : Philippe Boucaud
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 11/12/2023

Diodes électroluminescentes flexibles à base de nanofils

Photo Julien Bosch
  • Doctorant : Julien Bosch
  • Directeur de thèse : Blandine Alloing
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 06/12/2023

De la nano hétéroépitaxie aux micro LEDs à base de GaN

Photo Kilian Baril

Emetteurs de photons uniques aux longueurs d’onde télécom à base de GaN : injection électrique à température ambiante

Photo Max Meunier
  • Doctorant : Max Meunier
  • Directeur de thèse : Jesús Zúñiga-Pérez
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 27/10/2023

Laser à polaritons injectés électriquement dans un nanofil à base de GaN [cotutelle]

Photo Léo Mallet-Dida

Métasurfaces conformes et ses applications

Photo Sandeep Yadav Golla
  • Doctorant : Sandeep Yadav Golla
  • Directeur de thèse : Patrice Genevet
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 14/10/2021

Croissance et caractérisation d’oxynitrures de Zn et Mg : de la science de matériaux à la fabrication de transistors

Photo Philipp John
  • Doctorant : Philipp John
  • Directeur de thèse : Jesús Zúñiga-Pérez
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 29/06/2021

Contrôle des effets nonlinéaires à l'aide de métasurfaces

Photo Rajat Sawant
  • Doctorant : Rajat Sawant
  • Directeur de thèse : Patrice Genevet
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 15/12/2020

Epitaxie d’hétérostructures HEMT innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN [cotutelle]

Photo Nadia El Bondry
  • Doctorant : Nadia El Bondry
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 08/12/2020

Jonctions tunnel dans les hétérostructures de matériaux nitrures pour applications optoélectroniques

Photo Victor Fan Arcara
  • Doctorant : Victor Fan Arcara
  • Directeur de thèse : Jean-Yves Duboz
  • Co-directeur de thèse : Guy Feuillet (CEA)
  • Date de soutenance : 10/03/2020

Intégration de dispositifs optiques à base de métasurfaces pour des applications en opto-électronique et contrôle de l’émission laser

Photo Mario Ferraro
  • Doctorant : Mario Ferraro
  • Directeur de thèse : Patrice Genevet
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 14/12/2019

Développement de métasurfaces à base de semiconducteurs pour le visible et l’UV

Photo Gauthier Brière
  • Doctorant : Gauthier Brière
  • Directeur de thèse : Patrice Genevet
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 28/11/2019

Vers un composant à cascade quantique à base d'oxyde de zinc

Photo Nolwenn Le Biavan

Pseudo-substrats Semi-Polaires GaN

Photo Rami Mantach
  • Doctorant : Rami Mantach
  • Directeur de thèse : Philippe Vennéguès
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 10/09/2019

Optimisation et analyse des propriétés de transport électroniques dans les structures à base des matériaux AlInN/GaN

Photo Soumaya Latrach

Boîtes quantiques pour diodes électroluminescentes à ultra-violets

Photo Samuel Matta

Boîtes quantiques pour diodes électroluminescentes à ultra-violets

Photo Samuel Matta

Optique non linéaire dans AlGaN

Photo Maksym Gromovyi

Optique non linéaire dans AlGaN

Photo Maksym Gromovyi
  • Doctorant : Maksym Gromovyi
  • Directeur de thèse : Jean-Yves Duboz
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 30/03/2018

Croissance directe de graphène par dépôt chimique en phase vapeur sur du carbure de silicium et des nitrures d'éléments III

Photo Roy Dagher
  • Doctorant : Roy Dagher
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse : Adrien Michon
  • Date de soutenance : 22/09/2017

Co-Intégration de transistors HEMTs-GaN et CMOS-silicium

Photo Rémi Comyn
  • Doctorant : Rémi Comyn
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 08/12/2016

Co-Intégration de transistors HEMTs-GaN et CMOS-silicium

Photo Rémi Comyn
  • Doctorant : Rémi Comyn
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 08/12/2016

Réalisation de dispositifs MEMS autosupportés à base de 3C-SiC

Photo Rami Khazaka

Études structurales de couches de Nitrures d’éléments III sur substrats oxydes

Photo Natalia Stolyarchuk
  • Doctorant : Natalia Stolyarchuk
  • Directeur de thèse : Philippe Vennéguès
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 17/11/2016

Épitaxie en phase vapeur de carbure de silicium pour des applications en électronique

Photo Roxana Arvinte

Croissance et fabrication de LEDs semi- et non-polaires sur Si

Photo Michel Khoury
  • Doctorant : Michel Khoury
  • Directeur de thèse : Jesús Zúñiga-Pérez
  • Co-directeur de thèse : Guy Feuillet (CEA)
  • Date de soutenance : 22/02/2016

GaN semi-polaire - voie pour aller vers le substrat

Photo Florian Tendille
  • Doctorant : Florian Tendille
  • Directeur de thèse : Philippe De Mierry
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 24/11/2015

Développement de structures pour application Résonateurs MEMS à base de HEMTs GaN sur substrat silicium

Photo Paul Leclaire
  • Doctorant : Paul Leclaire
  • Directeur de thèse : Didier Théron
  • Co-directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Date de soutenance : 10/11/2015

Croissance de GaN sur silicium nanostructuré

Photo Guillaume Gommé
  • Doctorant : Guillaume Gommé
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 17/12/2014

Caractérisation structurale et optique de structures à base de puits quantiques (Ga ,In)N à forte teneur en indium émettant dans le vert-jaune

Photo Sakhawat Hussain

Croissance et caractérisation de Nanofils de GaN

Photo Pierre-Marie Coulon

Développement d'hétérostructures HEMTs III-N pour applications en gamme d'onde millimétriques

Photo Stéphanie Rennesson

Etude de microcavités à base de ZnO fonctionnant en régime de couplage fort

Photo Feng Li

Hétérostructures Non Polaires Intégrées à base d’Oxydes (II-O) et de Nitrures (III-N) pour applications optoélectroniques

Photo YuanYang Xia
  • Doctorant : YuanYang Xia
  • Directeur de thèse : Jean Massies
  • Co-directeur de thèse : Julien Brault
  • Date de soutenance : 01/10/2013

Microdisques Al(Ga)N contenant des boîtes quantiques GaN pour la nanophotonique UV: croissance, fabrication, caractérisation et applications

Photo Mohammad Junaebur Rashid
  • Doctorant : Mohammad Junaebur Rashid
  • Directeur de thèse : Fabrice Semond
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 27/11/2012

Croissance de Nitrure de Gallium sur substrat Silicium texturé

Photo Tasnia Hossain
  • Doctorant : Tasnia Hossain
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 27/11/2012

Boites Quantiques GaN pour l'émission dans l'ultraviolet

Photo Abdelkarim Kahouli
  • Doctorant : Abdelkarim Kahouli
  • Directeur de thèse : Jean Massies
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 28/09/2012

Etude de la fabrication de nouveaux composants à base de nitrures de gallium (GaN) pour des applications de puissance

Photo Martin Jouk
  • Doctorant : Martin Jouk
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 04/04/2012

Etude de la fabrication de nouveaux composants à base de nitrures de gallium (GaN) pour des applications de puissance

Photo Martin Jouk
  • Doctorant : Martin Jouk
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 04/04/2012

Croissance épitaxiale des nitrures non polaires et propriétés optiques de puits et boîtes quantiques GaN/AlGaN et (Al,Ga,In)N/(Al,Ga)N

Photo Nasser Kriouche
  • Doctorant : Nasser Kriouche
  • Directeur de thèse : Jean Massies
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 09/12/2011

Etude des nanostructures de semi-conducteurs à large bande interdite par Microscopie électronique en Transmission quantitative

Photo Maxim Korytov
  • Doctorant : Maxim Korytov
  • Directeur de thèse : Philippe Vennéguès
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 26/10/2010

Fabrication and study of nitride-based photonic nanocavities containing GaN quantum dots for UV emitters integrated on silicon

Photo Sylvain Sergent
  • Doctorant : Sylvain Sergent
  • Directeur de thèse : Jean-Yves Duboz
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 19/10/2010

Elaboration de structure laser à base de nitrures d'éléments III émettant dans le vert

Photo Pierre Demolon
  • Doctorant : Pierre Demolon
  • Directeur de thèse : Jean-Yves Duboz
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 01/07/2010

Etude des mécanismes de croissance et des propriétés de couches minces d’AlN épitaxiées par EJM sur substrat silicium pour des applications de filtrage

Photo Jean-Christophe Moreno
  • Doctorant : Jean-Christophe Moreno
  • Directeur de thèse : Fabrice Semond
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 17/12/2009

Optimisation de la croissance épitaxiale d’hétérostructures dans la filière Nitrure de Gallium pour les applications aux transistors à effet de champ

Photo Nicolas Baron
  • Doctorant : Nicolas Baron
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 21/09/2009

Croissance et caractérisation d'hétérostructures basées sur du GaN plan A

Photo Tobias Guehne
  • Doctorant : Tobias Guehne
  • Directeur de thèse : Jean-Yves Duboz
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 13/10/2008

Croissance et caractérisation d'hétérostructures basées sur du GaN plan A

Photo Tobias Guehne

Croissance par épitaxie sous jets moléculaires d’hétérostructures quantiques InGaAsN/GaAs

Photo Maxime Hugues

Croissance d'hétérostructures à base de GaN sur substrat Silicium (100)

Photo Sylvain Joblot
  • Doctorant : Sylvain Joblot
  • Directeur de thèse : Yvon Cordier
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 27/11/2007

Elaboration de pseudo-substrats GaN

Photo Mohamed Azize
  • Doctorant : Mohamed Azize
  • Directeur de thèse : Pierre Gibart
  • Co-directeur de thèse : Zahia Bougrioua
  • Date de soutenance : 01/06/2006

Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d’AlN

Photo Arnaud Le Louarn
  • Doctorant : Arnaud Le Louarn
  • Directeur de thèse : Jean Massies
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 15/02/2006

Réalisation de structures GaN à polarité périodique en vue d’applications à l’optique non linéaire

Photo Sébastien Pezzagna
  • Doctorant : Sébastien Pezzagna
  • Directeur de thèse : Jean Massies
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 14/12/2005

Diodes électroluminescentes blanches monolithiques

Photo Amélie Dussaigne
  • Doctorant : Amélie Dussaigne
  • Directeur de thèse : Nicolas Grandjean
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 13/04/2005

Etude de la relaxation dans le systme (Al,Ga)N et application aux diodes électroluminescentes cavité résonnante

Photo Jean-Marc Béthoux
  • Doctorant : Jean-Marc Béthoux
  • Directeur de thèse : Jean-Yves Duboz
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 24/09/2004

Elaboration, étude et application d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN épitaxiées par jets moléculaires sur Si (111)

Photo Franck Natali
  • Doctorant : Franck Natali
  • Directeur de thèse : Jean Massies
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 17/12/2003

Hétéro-Epitaxie de Nitrure de Gallium sur Si(111)

Photo Eric Feltin
  • Doctorant : Eric Feltin
  • Directeur de thèse : Pierre Gibart
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 20/01/2003

Composés III-V nitrurés : vers l’optoélectronique à 1,55 µm

Photo Marie-Amandine Pinault
  • Doctorant : Marie-Amandine Pinault
  • Directeur de thèse : Eric Tournie
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 20/12/2002

Elaboration de diodes électroluminescentes et de miroirs sélectifs à base de nitrures d'éléments III pour diodes à cavité résonante

Photo David Schenk
  • Doctorant : David Schenk
  • Directeur de thèse : Pierre Gibart
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 19/04/2002

Nanostructures (Al,Ga,In)N : croissance par épitaxie sous jets moléculaires, propriétés optiques, application aux diodes électroluminescentes

Photo Benjamin Damilano

Mécanismes d’injection et de recombinaison dans les diodes électroluminescentes à base de nitrures d’éléments III

Photo Stéphane Dalmasso
  • Doctorant : Stéphane Dalmasso
  • Directeur de thèse : Mathieu Leroux
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 25/10/2001

Optoélectronique visible et ultraviolette à base de semi-conducteurs II-VI à large bande interdite

Photo Florence Vigué
  • Doctorant : Florence Vigué
  • Directeur de thèse : Jean-Pierre Faurie
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 03/07/2001

Croissance et caractérisation d'hétéro-structures ZnBeSe à large bande interdite

Photo Catherine Chauvet-Guibert
  • Doctorant : Catherine Chauvet-Guibert
  • Directeur de thèse : Jean-Pierre Faurie
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 05/01/2001

Croissance de nitrures d'éléments III par Epitaxie en Phase Vapeur d'Organo-Métalliques sur substrats 6H-SiC et Si(111) : applications aux transistors à effet de champ

Photo Hacène Lahrèche
  • Doctorant : Hacène Lahrèche
  • Directeur de thèse : Pierre Gibart
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 20/11/2000

Application de la microscopie à sonde locale à l'étude de la surface de GaN(0001)

Photo Stéphane Vézian

Epitaxie par jets chimiques : application à la croissance de structures mixtes arséniures-phosphures et de nitrures d'éléments III

Photo Magali Mesrine
  • Doctorant : Magali Mesrine
  • Directeur de thèse : Jean Massies
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 01/02/1999

Croissance optimisée de GaN et AlxGa1-xN pour l'élaboration de composants optoélectroniques

Photo Soufien Haffouz
  • Doctorant : Soufien Haffouz
  • Directeur de thèse : Pierre Gibart
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 14/01/1999

Croissance et caractérisation d'hétérostructures Zn(Mg)BeSe, nouveaux matériaux pour émission laser bleu

Photo Valérie Bousquet
  • Doctorant : Valérie Bousquet
  • Directeur de thèse : Jean-Pierre Faurie
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 30/10/1998

Etude d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI à base de ZnSe élaboré en Epitaxie par Jets Moléculaires

Photo Céline Ongaretto
  • Doctorant : Céline Ongaretto
  • Directeur de thèse : Jean-Pierre Faurie
  • Co-directeur de thèse :
  • Date de soutenance : 19/06/1997

Etude et fabrication d'un laser bleu à base d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI

Photo Christian Morhain
  • Doctorant : Christian Morhain
  • Directeur de thèse : Jean-Pierre Faurie
  • Date de soutenance : 19/12/1996