NbN et jonctions supra-conductrices
Maîtrisant la croissance épitaxiale d’hétérostructures III-N/NbN/III-N, l’équipe étudie l’apport de l’épitaxie pour la réalisation de détecteurs de photons uniques à haut rendement à base de nano-rubans
Epitaxie par jets moléculaires de films minces de NbN sur substrat silicium Si(111) via une couche buffer AlN
Des membres de l’équipe réalisent de fines couches de NbN par épitaxie afin d’améliorer les performances des détecteurs de photons uniques.
La figure de gauche montre par imagerie AFM l’état de surface des films de NbN en fonction de la température de croissance et du flux de NH3.
La figure de droite représente la résistance en fonction de la température et montre une température critique de l’ordre 11 K.
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