⋄ ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications
Seif EL WHIBI, Nagesh BHAT, Yassine FOUZI, Nicolas DEFRANCE, Jean-Claude DE JAEGER, Zahia BOUGRIOUA, Florian BARTOLI, Maxime HUGUES, Yvon CORDIER, Marie LESECQ
Appl. Phys. Express., ,
, (2025)
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⋄ Perspectives for III-nitride photonic platforms
Philippe Boucaud, Nagesh Bhat, Maksym Gromovyi, Moustafa El Kurdi, Antoine Reserbat-Plantey, Minh Tuan Dau, Mohamed Al Khalfioui, Blandine Alloing, Benjamin Damilano and Fabrice Semond
Nano Futures, 8,
022001, (2024)
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⋄ GaN/AlN bilayers for integrated photonics
Nagesh Bhat, Maksym Gromovyi, Moustafa El Kurdi, Xavier Checoury, Benjamin Damilano, AND Philippe Boucaud
Opt. Mater. Express, 14,
792, (2024)
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⋄ Intrinsic polarity inversion in III-nitride waveguides for efficient nonlinear interactions
M. GROMOVYI, N. BHAT, H. TRONCHE, P. BALDI, M. EL KURDI, X. CHECOURY, B. DAMILANO, AND P. BOUCAUD
Opt. Express, 31,
31397, (2023)
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⋄ Low-loss GaN-on-insulator platform for integrated photonics
M. GROMOVYI, M. EL KURDI, X. CHECOURY, E. HERTH,F. TABATABA-VAKILI, N. BHAT, A. COURVILLE, F. SEMOND, AND P. BOUCAUD
Opt. Express, 30,
20737, (2022)
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