Brevets (17)
Que signifient les codes A1, A2, A3 et B après un numéro de publication ?
- Une publication A1 est une demande de brevet européen publiée avec le rapport de recherche
- Un document A2 correspond à cette demande publiée sans le rapport de recherche
- Le rapport de recherche est publié plus tard en tant que document A3
- Le brevet délivré est publié en tant que document B
FR3091022 (B1)
11/12/2020
⋄ Procédé de fabrication de structures optoélectroniques pourvues de diodes électroluminescentes coplanaires
G.Feuillet, B. Damilano, J.Y. Duboz, C. Largeron
FR3091022 (A1), CN111354757 (A), EP3671842 (A1), US2020203556 (A1)
FR3093862 (A1)
18/09/2020
⋄ Structure semi-conductrice optoélectronique comprenant une couche d’injection de type p à base d’InGaN
D. Sotta, M. Rozhavskaia, B. Damilano
CN113272972 (A), EP3939097 (A1), TW202101784 (A), WO2020182457 (A1)
US2019285547 (A1)
19/09/2019
⋄ Device and method for providing illumination for total-internal-reflection fluorescence microscopy using opaque mask
A. Giacomotti, M. Brunstein, A. Cattoni, S. Bouchoule, B. Damilano, D. Lefebvre
EP3465320 (A1), EP3465320 (B1), FR3051921 (A1), FR3051921 (B1), JP2019522814 (A), JP6918023 (B2), US11047799 (B2), WO2017207360 (A1)
FR3031834 (B1)
05/10/2018
⋄ Fabrication d’un support semi-conducteur à base de nitrures d’éléments III
F. Semond, J. Massies, E. Frayssinet
FR3031834 (A1), CN107251189 (A), EP3248213 (A1), JP2018509755 (A), KR20170102022 (A), US2018019120 (A1), WO2016116715 (A1)
FR3031833 (B1)
05/10/2018
⋄ Procédé de fabrication d’une structure semi-conductrice à base de nitrures d’éléments III passivée et une telle structure
F. Semond, J. Massies, E. Frayssinet
CN107408492 (A), EP3248212 (A1), FR3031833 (A1), US2018012753 (A1), JP2018509754 (A), KR20170105598 (A), WO2016116713 (A1)
FR3059147 (A1)
25/05/2018
⋄ Hétérostructures semi-conductrices avec structure de type wurtzite sur substrat en ZnO
J. Brault, M. Al Khalfioui, B. Damilano, J.M. Chauveau
WO201809150(A1)
FR3019380 (B1)
01/09/2017
⋄ Pixel semiconducteur, matrice de tels pixels, structure semiconductrice pour la réalisation de tels pixels et leurs procédés de fabrication
B. Damilano, J-Y. Duboz
EP3127159 (A1), FR3019380 (A1), US2017213868 (A1), JP2017513225 (A), KR20160139004 (A), WO2015150281 (A1)
FR3038714 (B1)
25/08/2017
⋄ Spectromètre multicanal munie d'une couche photosensible à gradient latéral de composition
J-Y. Duboz
FR3038714 (A1), WO2017005511 (A1)
FR3037341 (A1)
16/12/2016
⋄ Procédé de fabrication d'au moins un type de nanostructures et structures comprenant une pluralité de telles nanostructures
S. Vézian, B. Damilano, J. Brault
EP3307927 (A1), CN107849735 (A), JP2018526230 (A), KR20180017124 (A), WO2016198341 (A1)
FR3003402 (B1)
04/11/2016
⋄ Dispositif monolithique émetteur de lumière
B. Damilano, H. Kim-Chauveau, E. Frayssinet, J. Brault, P. De Mierry, S. Chenot, J. Massies
CN105122475 (A), CN105122475 (B), EP2973754 (A1), FR3003402 (A1), US2016043272 (A1), JP2016513878 (A), WO2014140118 (A1)
FR3001334 (B1)
06/05/2016
⋄ Procédé de fabrication de diodes blanches monolithiques
G. Nataf, P. de Mierry, S. Chenot
CN105051917 (A), CN105051917 (B), EP2948987 (A1), FR3001334 (A1), US2016005918 (A1), JP2016508668 (A), US9728673 (B2), WO2014114731 (A1)
FR3021454 (A1)
27/11/2015
⋄ Procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur incluant une couche de nitrure d'élément III semi-polaire
P. de Mierry, F. Tendille, P. Vennéguès
EP3146558 (A1), US2017092482 (A1), JP2017522721 (A), WO2015177220 (A1)
FR2926675 (B1)
29/07/2011
⋄ Méthode d'obtention d'un matériau structuré d'ouvertures traversantes, en particulier de nitrures de semi-conducteurs de type III structurés selon des motifs de cristaux photoniques
S. David, P. Boucaud, F. Semond
EP2232314 (A1), FR2926675 (A1), EP2232314 (B, US2011084310 (A1), WO2009092981 (A1)
FR2898434 (B1)
23/05/2008
⋄ Diode électroluminescente blanche monolithique
J. Massies, B. Damilano
EP1994571 (A1), FR2898434 (A1), US2011045623 (A1), JP2009530803 (A), KR20080104368 (A), US2009101934 (A1), US8470618 (B2), WO2007104884 (A1)
FR2888398 (B1)
21/12/2007
⋄ Couche de siliciumtrès sensible à l'oxygène et procédé d'obtention de cette couche
P. Soukiassian, F. Semond
EP1900012 (A1), FR2888398 (A1), US2009294776 (A1), JP2008544945 (A), WO2007003638 (A1)
FR2807909 (B1)
28/07/2006
⋄ Couche mince semi-conductrice de GaInN, son procédé de préparation; DEL comprenant cette couche et dispositif d'éclairage comprenant celle DEL
J. Massies, N. Grandjean, B. Damilano
AU5048601 (A), CA2405517 (A1), CA2405517 (C), CN1422444 (A), EP1273049 (A1), EP1273049 (B1), FR2807909 (A1), FR2807909 (B1), JP2003530703 (A), JP5296280 (B2), KR100900933 (B1), KR20030001405 (A), US2003092209 (A1), US6730943 (B2), WO0178157 (A1), AT524836 (T)
FR2860101 (B1)
21/10/2005
⋄ Protection de la surface du SiC par une couhe de GaN
B. Daudin, J. Brault
AT532213 (T) EP1517368 (A2) EP1517368 (A3) EP1517368 (B1) FR2860101 (A1), JP2005097104 (A), JP4745635 (B2), US2005202284 (A1), US7354619 (B2)
