Réseaux de nanofils de nitrure du groupe III fabriqués par sublimation
pour la nanophotonique (2019)

Nous avons démontré que la sublimation sélective (réalisée dans une
chambre MBE) combinée avec la lithographie par faisceau d'électrons
ou déplacement Talbot peut être une méthode puissante et polyvalente
pour réaliser des réseaux de nano-fils à base de GaN précisément définis
dans une approche "top-down".
Nous avons montré qu'il permet non seulement un rendement et une homogénéité
élevés à l'échelle macroscopique, mais également un contrôle précis
à l'échelle nanométrique en termes de position, de forme et de dimensions.
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Boîtes quantiques AlGaN pour émission dans l'UV profond (2019)

Comme le remplacement des lampes à mercure par des sources UV respectueuses
de l'environnement est nécessaire, les LEDs à base d'AlGaN devraient
permettre d'atteindre cet objectif, en particulier dans les régions
UVB (280-320 nm) et UVC (<280 nm) où des applications médicales et
environnementales stratégiques sont ciblées.
Les procédés de fabrication à moindre coût devant être privilégiés,
les approches de croissance monolithique et les structures en couches
ultra-minces pourraient être bien adaptées au développement des LED
UV.
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Le tunnel meilleur que les trous (2018)

La faible densité de trous dans GaN et encore plus dans AlGaN induit
une baisse des performances des LED nitrure. Tout d'abord, les résistances
d'accès augmentent la tension de fonctionnement et dégradent l'efficacité
de la prise murale.
Deuxièmement, l'injection de porteurs dans le puits quantique de la
région active est déséquilibrée et son efficacité est réduite.
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III-nitride on silicon nanophotonic platform: electrical injection
and microlaser photonic circuits (2018)

La plate-forme de nitrures sur silicium du groupe III est prometteuse
pour la photonique car elle est la seule à pouvoir combiner simultanément
des circuits passifs et actifs fonctionnant dans la gamme spectrale
UV et visible avec des émetteurs actifs monolithiquement intégrés
tels que des lasers et des LED.
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Absorption inter-sous-bande de THz dans des hétérostructures à
base de GaN épitaxiées sur un substrat de silicium (2018)

Les hétérostructures AlGaN / GaN présentent des caractéristiques intéressantes
pour les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme
TeraHertz (THz):
- la possibilité de construire des hétérostructures périodiques
avec des niveaux d'énergie séparés avec quelques dizaines de meV
- une grande énergie de phonons optiques qui peut permettre l'inversion
de la population d'électrons dans des lasers à cascade quantique
(QCL) à température ambiante
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Optical phase transition in semiconductor quantum metamaterials
(2018)

La direction de la lumière réfractée à l'interface entre deux milieux
suit généralement la loi de Snell-Descartes conventionnelle. En empilant
des couches métalliques et diélectriques d'épaisseur sous-longueur
d'onde pour former des métamatériaux, il est possible de réaliser
un comportement inattendu tel qu'une réfraction négative.
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