Réseaux de nanofils de nitrure du groupe III fabriqués par sublimation pour la nanophotonique (2019)

Nous avons démontré que la sublimation sélective (réalisée dans une chambre MBE) combinée avec la lithographie par faisceau d'électrons ou déplacement Talbot peut être une méthode puissante et polyvalente pour réaliser des réseaux de nano-fils à base de GaN précisément définis dans une approche "top-down".
Nous avons montré qu'il permet non seulement un rendement et une homogénéité élevés à l'échelle macroscopique, mais également un contrôle précis à l'échelle nanométrique en termes de position, de forme et de dimensions.

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Boîtes quantiques AlGaN pour émission dans l'UV profond (2019)

Comme le remplacement des lampes à mercure par des sources UV respectueuses de l'environnement est nécessaire, les LEDs à base d'AlGaN devraient permettre d'atteindre cet objectif, en particulier dans les régions UVB (280-320 nm) et UVC (<280 nm) où des applications médicales et environnementales stratégiques sont ciblées.
Les procédés de fabrication à moindre coût devant être privilégiés, les approches de croissance monolithique et les structures en couches ultra-minces pourraient être bien adaptées au développement des LED UV.

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Le tunnel meilleur que les trous (2018)

La faible densité de trous dans GaN et encore plus dans AlGaN induit une baisse des performances des LED nitrure. Tout d'abord, les résistances d'accès augmentent la tension de fonctionnement et dégradent l'efficacité de la prise murale.

Deuxièmement, l'injection de porteurs dans le puits quantique de la région active est déséquilibrée et son efficacité est réduite.

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III-nitride on silicon nanophotonic platform: electrical injection and microlaser photonic circuits (2018)

La plate-forme de nitrures sur silicium du groupe III est prometteuse pour la photonique car elle est la seule à pouvoir combiner simultanément des circuits passifs et actifs fonctionnant dans la gamme spectrale UV et visible avec des émetteurs actifs monolithiquement intégrés tels que des lasers et des LED.

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Absorption inter-sous-bande de THz dans des hétérostructures à base de GaN épitaxiées sur un substrat de silicium (2018)

Les hétérostructures AlGaN / GaN présentent des caractéristiques intéressantes pour les dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans la gamme TeraHertz (THz):

• la possibilité de construire des hétérostructures périodiques avec des niveaux d'énergie séparés avec quelques dizaines de meV
• une grande énergie de phonons optiques qui peut permettre l'inversion de la population d'électrons dans des lasers à cascade quantique (QCL) à température ambiante

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Optical phase transition in semiconductor quantum metamaterials (2018)

La direction de la lumière réfractée à l'interface entre deux milieux suit généralement la loi de Snell-Descartes conventionnelle. En empilant des couches métalliques et diélectriques d'épaisseur sous-longueur d'onde pour former des métamatériaux, il est possible de réaliser un comportement inattendu tel qu'une réfraction négative.

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