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Uniformités GaN-AlN
Étudier l'uniformité des films en qualité et en épaisseur
est nécessaire pour optimiser les conditions de croissance et les équipements
de croissance. Nous présentons ici l'uniformité de films AlN
et GaN obtenus par croissance EJM à source Ammoniac et par EJM assistée
par plasma d'azote.
Pour en savoir plus...
AlN / GaN sur substrats silicium 4", 3" et 2"