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Développement de la croissance assistée par plasma de GaN et AlGaN (morphologie de surface et qualité optique)
La croissance avec plasma d’azote est une alternative à l’Ammoniac pour la croissance de GaN. La croissance a été réalisée sur tremplin GaN sur Saphir. Les conditions de croissance, à la limite de la stabilité Gallium (720°C, v~0.4 µm/h), mènent à la quasi-absence de gouttelettes de Gallium. Une croissance spirale est mise en évidence par Microscopie à Force Atomique (AFM). La photoluminescence à basse température 10K) permet d’étudier la qualité du GaN.
