Navigation
Qualification du réacteur pour la réalisation d’hétérostructures HEMTs AlGaN/GaN sur Silicium, et SiC (qualité, uniformité)
Les HEMTs (High Electron Mobility Transistors) à base de GaN sont des hétérostructures très intéressantes pour le développement de composants de puissance en hyperfréquences. En raison de l’absence de substrat GaN, l’hétéro-épitaxie sur des substrats comme le Carbure de Silicium, le Saphir et le Silicium a été développée et des démonstrateurs fonctionnant en bande S, jusqu’à la bande K ont été réalisés. Au-delà de critères tels que l’isolation électrique des couches tampons, des densités de charges et leur mobilité, la reproductibilité et l’uniformité sont importantes pour la mise au point des procédés de croissance et de réalisation des dispositifs. Aussi, pour des raisons de coût des substrats, une grande partie des démonstrations est faite sur substrat Silicium(111), avec une structure de couche tampon particulière et destinée à limiter les contraintes mécaniques souvent à l’origine de fissures. Ce procédé de croissance a donné lieu au dépôt d’un brevet au CRHEA. Les heterostructures présentées sont réalisées à 800°C avec l’Ammoniac comme précurseur.
Des composants sont réalisés avec les moyens de la centrale de technologie du CRHEA (CRHEATEC). Des motifs de test permettent à la fois de vérifier l’isolation électrique des couches tampons, la qualité des contacts Ohmique et Schottky, la densité et la mobilité des charges. Des transistors avec des longueurs de grilles supérieures ou égales à 2 microns permettent de valider ces structures.
