Faits marquants

Le CRHEA recherche des candidats pour un poste de chargé de recherche (11/2017)

Le Crhea Dans le cadre de la campagne de recrutement CNRS 2018 et dans un contexte de poste colorié en section 3, le CRHEA recherche un profil « épitaxie de semiconducteurs », avec une option possible sur les matériaux topologiques. Un autre profil recherché, en lien avec un poste colorié en section 15, porte sur la « croissance d’oxydes fonctionnels ». Contact : Jean-Yves Duboz ou tout autre chercheur du CRHEA que le candidat pourrait connaitre.

«Nanostructures de semiconducteurs à modulation de bande interdite - Nanostrukturierte Halbleiter mit Bandlückenmodulationen (11/2017)

CDFA 2017 Le colloque annuel du collège doctoral franco-allemand CDFA-05-06 s’est tenu au CRHEA le vendredi 10 novembre 2017. Des étudiants et des chercheurs de l’université de Bochum (Allemagne) et du CRHEA se sont retrouvés à Valbonne afin d’aborder des thèmes scientifiques allant des boîtes quantiques à l’optique non linéaire en passant par l’oxyde de Zinc ou le graphène. Vous pouvez découvrir les photos ici et . Rendez-vous en 2018 à Bochum !

Le Crhea et EasyGaN sont à l'affiche dans "Open Access Government" de Novembre 2017 (11/2017)

Open Access Governement Le rôle essentiel du CRHEA dans l’émergence d’une filière GaN sur Si en France est souligné dans un article publié page 226 dans l’édition de Novembre 2017 du magazine « Open Access Government ». Vous pouvez le découvrir ICI. Le magazine complet, avec un éditorial de la ministre F. Vidal, est disponible sur ce lien : www.openaccessgovernment.org

Startup : EasyGaN, née d'un projet ANR du CRHEA (06/2017)

Logo EasyGaN Vingt ans de R&D ont mené à la création de la startup EasyGaN basée en France, et les chercheurs impliqués ouvrent la voie à des développements novateurs et passionnants dans le domaine, y compris de nouveaux produits et connaissances. Voir le site d'EasyGaN...

Projet : début du projet GoSiMP (02/2017)

Logo GoSiMP Le projet GoSiMP a été sélectionné dans le cadre de l’appel à projets ASTRID 2016 opéré par l’ANR. Coordonné par le CRHEA et en partenariat avec l’IEMN (Lille) et le GREMAN (Tours), le projet vise à optimiser l’hétéroépitaxie de HEMTs AlGaN/GaN sur Silicium et la technologie des transistors pour des applications à 40 GHz et au-delà. Lire la suite …