Le CRHEA recherche des candidats pour un poste de chargé de recherche
(11/2017)

Dans le cadre de la campagne de recrutement CNRS 2018 et dans un contexte
de poste colorié en section 3, le CRHEA recherche un profil « épitaxie
de semiconducteurs », avec une option possible sur les matériaux topologiques.
Un autre profil recherché, en lien avec un poste colorié en section
15, porte sur la « croissance d’oxydes fonctionnels ». Contact :
Jean-Yves
Duboz ou tout autre
chercheur du CRHEA
que le candidat pourrait connaitre.
«Nanostructures de semiconducteurs à modulation de bande interdite
- Nanostrukturierte Halbleiter mit Bandlückenmodulationen (11/2017)

Le colloque annuel du collège doctoral franco-allemand CDFA-05-06
s’est tenu au CRHEA le vendredi 10 novembre 2017. Des étudiants et
des chercheurs de l’université de Bochum (Allemagne) et du CRHEA se
sont retrouvés à Valbonne afin d’aborder des thèmes scientifiques
allant des boîtes quantiques à l’optique non linéaire en passant par
l’oxyde de Zinc ou le graphène. Vous pouvez découvrir les photos
ici
et
là. Rendez-vous
en 2018 à Bochum !
Le Crhea et EasyGaN sont à l'affiche dans "Open Access Government"
de Novembre 2017 (11/2017)

Le rôle essentiel du CRHEA dans l’émergence d’une filière GaN sur
Si en France est souligné dans un article publié page 226 dans l’édition
de Novembre 2017 du magazine « Open Access Government ». Vous pouvez
le découvrir
ICI.
Le magazine complet, avec un éditorial de la ministre F. Vidal, est
disponible sur ce lien :
www.openaccessgovernment.org
Startup : EasyGaN, née d'un projet ANR du CRHEA (06/2017)

Vingt ans de R&D ont mené à la création de la
startup
EasyGaN basée en France, et les chercheurs impliqués ouvrent la
voie à des développements novateurs et passionnants dans le domaine,
y compris de nouveaux produits et connaissances.
Voir
le site d'EasyGaN...
Projet : début du projet GoSiMP (02/2017)

Le projet GoSiMP a été sélectionné dans
le cadre de l’appel à projets ASTRID 2016 opéré
par l’ANR. Coordonné par le CRHEA et en partenariat avec
l’IEMN (Lille) et le GREMAN (Tours), le projet vise à
optimiser l’hétéroépitaxie de HEMTs AlGaN/GaN
sur Silicium et la technologie des transistors pour des applications
à 40 GHz et au-delà.
Lire
la suite …