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18 publications classées par date - Critères de recherche: Matta

⋄ DUV LEDs based on AlGaN Quantum Dots

Julien Brault, Mohamed Al Khalfioui, Mathieu Leroux, Samuel Matta, Thi-Huong Ngo, Aly Zaiter, Aimeric Courville, Benjamin Damilano, Sébastien Chenot, Jean-Yves Duboz, Jean Massies, P. Valvin, Bernard Gil
Proc. SPIE, 11686, 116860T, (2021) - Article de conférence - invité
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⋄ UVB LEDs Grown by Molecular Beam Epitaxy Using AlGaN Quantum Dots

J. Brault, M. Al Khalfioui, S. Matta, T.H. Ngo, S. Chenot, M. Leroux, P. Valvin and B. Gil
Crystals, 10, 1097, (2020) - Papier régulier
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⋄ High temperature electrical transport properties of MBE-grown Mg-doped GaN and AlGaN materials

L Konczewicz, S Juillaguet, E Litwin-Staszewska, R Piotrzkowski, H Peyre, S Matta, M Al Khalfioui, M Leroux, B Damilano, J Brault, S Contreras
J. Appl. Phys., 128, 085703, (2020) - Papier régulier
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⋄ Photoassisted chemical smoothing of AlGaN surface after laser lift-off

Zhongming Zheng, Hao Long, Samuel Matta, Mathieu Leroux, Julien Brault, Leiying Ying, Zhiwei Zheng, and Baoping Zhang
JVST B, 38, 042207, (2020) - Papier régulier
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⋄ Wetting-Layer-Free AlGaN Quantum Dots for Ultraviolet Emitters

G. Schifani, T. Frisch, J. Brault, P. Vennéguès, S. Matta, M. Korytov, B. Damilano, J. Massies, and J.-N. Aqua
ACS Appl. Nano Mater., 3, 4054, (2020) - Papier régulier
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⋄ A broadband ultraviolet light source using GaN quantum dots formed on hexagonal truncated pyramid structures

Jong-Hoi Cho, Seung-Hyuk Lim, Min-Ho Jang, Chulwon Lee, Hwan-Seop Yeo, Young Chul Sim, Je-Hyung Kim, Samuel Matta, Blandine Alloing, Mathieu Leroux, Seoung-Hwan Park, Julien Brault and Yong-Hoon Cho
Nanoscale Adv., 2, 1449-1455, (2020) - Papier régulier
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⋄ Internal quantum efficiencies of AlGaN quantum dots grown by molecular beam epitaxy and emitting in the UVA to UVC ranges

J. Brault, S. Matta, T.H. Ngo, M. Al Khalfioui, P. Valvin, M. Leroux, B. Damilano, M. Korytov, V. Brändli, P. Vennéguès, J. Massies, B. Gil
J. Appl. Phys., 126, 205701, (2019) - Papier régulier
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⋄ Properties of AlN layers grown on c-sapphire substrate using ammonia assisted MBE

S. Matta, J. Brault, M. Korytov, T.Q. Phuong Vuong, C. Chaix, M. Al Khalfioui, P. Vennéguès, J. Massies, B. Gil
J. Cryst. Growth, 499, 40, (2018) - Papier régulier
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⋄ UVA and UVB light emitting diodes with Al y Ga1−y N quantum dot active regions covering the 305–335 nm range

J. Brault, M. Al Khalfioui, S. Matta, B. Damilano, M. Leroux, S. Chenot, M. Korytov, J.E. Nkeck, P Vennéguès, J.Y. Duboz, J. Massies and B. Gil
Semicond. Sci. Tech., 33, 075007, (2018) - Papier régulier
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⋄ Loss analysis in nitride deep ultraviolet planar cavity

Z. Zheng, Y. Li, O. Paul, H. Long, S. Matta, M. Leroux, J. Brault, L. Ying, Z. Zheng, and B. Zhang
J. Nanophotonics, 12, 043504, (2018) - Papier régulier
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⋄ Photoluminescence properties of (Al,Ga)N nanostructures grown on Al0.5Ga0.5N (0001)

S. Matta, J. Brault, T.H. Ngo, B. Damilano, M.Leroux, J. Massies, B. Gil
Superlattices Microstruct., 114, 161, (2018) - Papier régulier
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⋄ Influence of the heterostructure design on the optical properties of GaNand Al0.1Ga0.9N quantum dots for ultraviolet emission

S. Matta, J. Brault, T.H. Ngo, B. Damilano, M. Korytov, P. Vennéguès, M. Nemoz, J. Massies, M. Leroux, B. Gil
J. Appl. Phys., 122, 085706, (2017) - Papier régulier
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⋄ Dislocation densities reduction in MBE-grown AlN thin films by high-temperature annealing

M. Nemoz, R. Dagher, S. Matta, A. Michon, P. Vennéguès, J. Brault.
J. Cryst. Growth, 461, 10-15, (2017) - Papier régulier
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⋄ High temperature annealing and CVD growth of few-layer graphene on bulk AlN and AlN templates

R. Dagher, S. Matta, R. Parret, M. Paillet, B. Jouault, L. Nguyen, M. Portail, M. Zielinski, T. Chassagne, S. Tanaka, J. Brault, Y. Cordier, and A. Michon
Phys. Stat. Sol. A, 214(4), 1600436, (2017) - Papier régulier
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⋄ Ultraviolet light emitting diodes using III-N quantum dots

J. Brault, S. Matta, T.H. Ngo, D. Rosales, M. Leroux, B. Damilano, M. Al Khalfioui, F. Tendille, S. Chenot, P. De Mierry, J. Massies, B. Gil
Mat Sci Semicon Proc, 55, 95, (2016) - Papier invité
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⋄ High temperature electrical transport study of Si-doped AlN

S. Contreras, L. Konczewicz, J. Ben Messaoud, H. Peyre, M. Al Khalfioui, S. Matta, M. Leroux, B. Damilano, J. Brault
Superlattices Microstruct., 98, 253, (2016) - Papier régulier
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⋄ Investigation of AlyGa1−yN/Al0.5Ga0.5N quantum dot properties for the design of ultraviolet emitters

J. Brault, S. Matta, T.H. Ngo, M. Korytov, D. Rosales, B. Damilano, M. Leroux, P. Vennéguès, M. Al Khalfioui, A. Courville, O. Tottereau, J. Massies, B. Gil
Jpn. J. Appl. Phys., 55, 05FG06, (2016) - Papier régulier
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⋄ Analysis of the SiO2/Si3N4 passivation bilayer thickness on the rectifier behavior of AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrate

M. Mattalah, A. Soltani, J.C. Gerbedoen, A. Ahaitouf, N. Defrance, Y. Cordier, and J.C. De Jaeger
Phys. Stat. Sol. C, 9, 1083-1087, (2012) - Article de conférence
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