| Contrats européens (1)
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⋄ GraNitE (2016 - 2019)Graphene heterostrucutres with nitrides for high frequency electronics
(FLAG-ERA) |
| Contrats nationaux (14)
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⋄ Nano2022 (2019 - 2022)Projet Nano 2022
(Convention Recherche Innovation/DGE - Soitec) |
⋄ BREAkuP (2017 - 2021)Matériaux à ultra large bande interdite pour les futurs applications d’électronique de puissance
(ANR) |
⋄ H2Mems (2017 - 2021)Développement et optimisation de capteurs d’hydrogène à base de microsystèmes électromécaniques (MEMS) résonants
(ANDRA) |
⋄ SchoGaN (2017 - 2021)GaN Schottky diode for THz generation
(ANR PRCE) |
⋄ Nems-GaN (2017 - 2022)Nano Electro Mechanical Systems in Gallium Nitride materials
(ANR) |
⋄ GraphMet (2016 - 2021)Etalons quantiques en graphène pour les unités électriques du Si
(ANR) |
⋄ GoSiMP (2016 - 2020)Optimisations combinées par l’épitaxie pour composants hyperfréquences de puissance GaN sur Silicium
(ANR) |
⋄ ED-GaN (2016 - 2021)Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération
(ANR) |
⋄ Destinee (2016 - 2021)Développement de composants innovants à base de GaN sur substrat de silicium pour la future génération de composants de puissance à haut rendement
(ANR) |
⋄ OptoTeraGaN (2015 - 2020)Optoélectronique TeraHertz GaN
(ANR) |
⋄ FlexiGaN (2014 - 2017)Composants sur supports FLEXIbles de la filière GaN
(ANR) |
⋄ Amgasi (2012 - 2015)Accéléromètre MEMS en thechnologie GaN en technologie Silicium
(ANR) |
⋄ Satellite (2012 - 2016)Dévelopement d'un process basé sur le GaN sur substrat silicium pour des applications en ondes millimétriques
(ANR) |
⋄ StarGaN (2010 - 2013)Etude de structure avancée de la filière nitrure de gallium
(ANR) |
