Le pôle épitaxie regroupe les différentes activités de croissances qui constituent la base des recherches menées au CRHEA. Il regroupe 13 chercheurs et 8 ingénieurs autours de réacteurs d’épitaxie adaptés à la croissance de matériaux à grands gaps, notamment les nitrures d’éléments III, mais également le SiC et le ZnO ainsi que les matériaux 2D comme le graphène.

Les différents équipements se distinguent principalement par la méthode d’épitaxie, soit par jets moléculaire sous ultravide (MBE, 7 bâtis), soit en phase vapeur (CVD ou MOCVD, 6 bâtis).

On peut ensuite encore les différencier par les matériaux épitaxiés et les types de sources, leur géométrie, leur capacité (de 2’’ à 8’’), ou encore les températures accessibles (jusqu’à 1700°C). Le tableau ci-dessous renvoie vers un descriptif des différents réacteurs, classés par méthode de croissance et par matériau.