L’équipe Opto étudie les propriétés optiques et optoélectroniques des matériaux à base de nitrure de gallium (GaN) et d’oxyde de zinc (ZnO), qui sont élaborés par croissance épitaxiale par épitaxie en phase vapeur (EPV) et/ou par épitaxie sous jets moléculaires (EJM), et les développe dans des composants (LEDs, lasers, détecteurs…) en vue d’applications potentielles. En particulier, en s’appuyant sur les spécificités de ces techniques de croissance et des savoir-faire développés pour ces deux familles de matériaux, la possibilité de couplage (EPV-EJM et/ou GaN-ZnO) est au plan mondial un atout exceptionnel du CRHEA. Les principales activités développées concernent :

  1. La réalisation de couches de GaN semipolaires pour des applications dans les dispositifs interbandes (LEDs) et intrabandes (photodétecteurs, détecteurs et lasers à cascade quantique)
  2. Le développement de dispositifs nitrures émettant à grande longueur d’onde (dans le jaune et le rouge) et de diodes électroluminescentes blanches monolithiques
  3. La fabrication de LEDs UV à base de boîtes quantiques AlGaN
  4. L’hétéroépitaxie de GaN sur Si et la réalisation de d’hétérostructures ultra-minces (< 500 nm) en vue de la fabrication de micro-nano-composants (micro-disques, cristaux photoniques…)
  5. L’homoépitaxie de ZnO et ses hétérostructures ZnMgO/ZnO pour la réalisation de dispositifs unipolaires (photodétecteurs, détecteurs et lasers à cascade quantique)
  6. Le développement de composants LEDs dans la filière GaN /Si (ingénierie de contrainte, surfaces structurées de grande taille (8 pouces))
  7. Optique non linéaire à base de matériaux AlGaN (guides optiques, cristaux photoniques, accord de phase modal…) pour applications UV

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