La société Lumilog (basée à Vallauris, 06) à été créée fin 2002 par trois chercheurs du CRHEA et en partenariat avec le CNRS pour valoriser les résultats obtenus au laboratoire sur la croissance de GaN. Lumilog fabrique et commercialise des template et des substrats autosupportés de GaN. Lumilog a été racheté en 2008 par la société Saint Gobain.

La société NOVASiC (basée au Bourget du Lac, 73) est un leader mondial dans le polissage de matériau, notamment de Carbure de Silicium. Dans le but d’étendre ses compétences et son activité sur le Carbure de Silicium, NOVASiC a depuis 2001 sur le site du CRHEA une activité commune Novasic-CRHEA dans le domaine des réacteurs de croissance et l’épitaxie.

Depuis sa création (1983) le laboratoire entretient une collaboration étroite avec la société française Riber (basée à Rueil Malmaison, 92) qui est devenue le premier constructeur mondial de réacteurs d’Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM). Un exemple d’action récente (1997-2000) est le développement d’une nouvelle série de machines EJM R&D (série « Compact 21 ») dont le prototype à été conçu et mis au point en partenariat avec le CRHEA.
Ce partenariat constant s’est traduit par la mise en place en 2003 sur le site du CRHEA d’un Laboratoire Commun Riber-CRHEA sur le thème de l’Epitaxie par Jets Moléculaires du Nitrure de Gallium.

Société française créée en 1985 pour la production industrielle de films minces de semiconducteurs III-V (selon la technique d’Epitaxie par Jets Moléculaires - EJM) pour la fabrication de composants électroniques, Picogiga est un des leaders mondiaux du domaine. Un contrat de collaboration de recherche entre le CRHEA et Picogiga à été initié en Juin 2000 et s’est traduit par la mise en place à Picogiga (2000-2003) du procédé de croissance EJM du Nitrure de Gallium sur substrat de Silicium mis au point au CRHEA (brevet N° publication EP1290721). Picogiga a été racheté par SOITEC en 2003.

Le CRHEA collabore avec STMicroelectronics (Crolles et Tours) dans différents programmes liés au Nitrure de Gallium sur Silicium.

Une collaboration au long cours est établie, depuis la création du laboratoire, avec Thales Recherche & Technologie (ex Laboratoire Central de Thomson-CSF). Un exemple récent de réalisation en partenariat concerne la fabrication de détecteurs UV à base d’alliages de Nitrure de Gallium et de Nitrure d’Aluminium.

Saint-Gobain s’est engagé avec le CRHEA dans une action d’expertise de ses substrats pour la croissance de Nitrure de Gallium. Saint-Gobain s’appuie sur l’expertise en croissance EPVOM du CRHEA pour augmenter son activité dans le domaine des substrats pour la croissance de semiconducteurs destinés à des dispositifs optoélectroniques ou électroniques.