L’équipe OPTO-électronique a été crée début 2007 à la suite d’une restructuration complète du laboratoire et avec comme premier objectif de regrouper les actions de recherche menées sur les matériaux nitrures en vue d’applications à l’optoélectronique. Ces actions étaient en effet menées auparavant dans les équipes « Croissance épitaxiale des nitrures par épitaxie en phase vapeur (EPV) », « Croissance épitaxiale des nitrures par épitaxie sous jets moléculaires (EJM) » et «Nitrures dilués de type GaInNAs (GINA) ». Les procédés de croissance de base des nitrures étant maintenant bien maîtrisés dans les deux approches EPV et EJM, l’objectif à moyen terme est d’utiliser au mieux les spécificités de ces techniques et des savoir-faire développés pour différents matériaux nitrures. La possibilité de leur couplage est au plan mondial un atout exceptionnel du CRHEA. Il nous permet d’aborder la fabrication de structures optimales incluant des nanostructures avec un rendement quantique interne élevé pour les applications émission/détection dans une gamme spectrale allant de l’IR à l’UV.
Une présentation résumée des différentes actions de recherche menées par l’équipe dans la période 2007-2010 est accessible à partir des liens suivants :
1 - Nitrures semi- et non polaires et diodes électroluminescentes semi-polaires
2 - Laser vert (In,Ga)N
3 - DELs blanches monolithiques
4 - Nanostructures GaN/AlxGa1-xN
5 - Détecteurs ultraviolet à base d’AlGaN
6 - Nitrures dilués (Ga,In)(N,As)
Principaux résultats extraits du rapport d'activité 2006-2010 du CRHEA :
Responsable : Fabrice Semond