Navigation : communication scientifique
> habiliations à diriger des recherches (hdr)
Propriétés structurales de films de semi-conducteurs wurtzite
hetéroépitaxiés selon des orientations non- et semi-polaires
Elaboration d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d'applications
électroniques : de la croissance cristalline au composant
Caractérisations des hétérostructures AlGaN/GaN :
des propriétés de transport aux transistors à haute
mobilité HEMT
- Chercheur : Philippe Lorenzini - Equipe : Caractérisation électrique
- Université : Nice-Sophia Antipolis
- Date de soutenance : 23 Novembre 2004
