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Arrivées / Départs
- Arrivée de Gema TABARES (Madrid) pour un stage de 2 mois sous
la responsabilité de J.M. Chauveau sur croissance d'hétérostructures
ZnMgO/ZnO pour photodétecteurs UV (04/2013)
- Arrivée de Soumaya LATRACH (Université de Monastir) en
stage pendant 2 mois sous la responsabilité scientifique d'Y. Cordier
(réalisation de dispositifs de tests en vue de la caractérisation
électrique de structures semiconductrices à base de nitrure
de gallium) (04/2013)
- Arrivée de Maksym Gromovyi qui effectuera
un stage de 6 mois sous la responsabilité de J-Y Duboz sur la "Modélisation
des contraintes dans des couches de GaN sur substrat Si structuré
et dans des lames minces de GaN pour observation TEM" (03/2013)
- Arrivée de Outman BOUMAHDI, de l'Université
de Saint-Etienne, en qualité de stagiaire jusqu'au 31/08/2013 et
travaillant sous la responsabilité de J. Brault sur "Réalisation
et caractérisation d'hétéro-structures GaN sur substrats
ZnO" (03/2013)
- Arrivée de Kaddour Lekhal de l'Université
Blaise Pascal de Clermont-Ferrand. Il travaille sous la responsabilité
de B. Damilano sur le sujet "Croissance par épitaxie en phase vapeur aux
organo-métalliques et caractérisation optique de structures de diodes
électroluminescentes blanches monolithiques à base d'InGaN" (03/2013)
- Virgine Brändli intègre l'équipe
SCR (microscopie et techno) du CRHEA (01/2013)
- Stéphane Brochen rejoint l'équipe
Opto-electronique pour un post-doc
sur l'année 2013 (01/2013)
- Rémy Comyn débute une thèse
au CRHEA dans l'équipe Electro (12/2012)
- Michel Khoury rejoint l'équipe Nano
pour une thèse (12/2012)
- Arrivée de Florian Tendille pour une
thèse CRHEA dans l'équipe Opto-electronique
(11/2012)
- Arrivée de Paul Leclaire pour une
thèse IEMN-CRHEA dans le cadre du labex GaNex (10/2012)
- Roxana Arvinte rejoint les membres de la société
Novasic basés au CRHEA pour préparer une thèse dans
l'équipe Electro (06/2012)
Maksym Gromovyi
Thèses / Hdr / Récompenses
- Marcin Zielinski (ingénieur NOVASIC)
a soutenu son Habilitation à Diriger des Recherches (HDR) au CRHEA
le 25 janvier 2013.
- M. Junaebur Rashid est devenu Docteur en Physique pour ses travaux intitulés
"Fabrication and study of AlN optical resonators containing GaN QDs
for UV emitters and new concepts for the growth of GaN on silicon substrates",
le 29 novembre 2012.
- Tasnia Hossain est devenue Docteur en Physique suite à la présentation
de ses travaux sur "GaN based structures on patterned silicon substrate
: Stress and strain analysis" le 27 novembre 2012.
- Le 28 septembre 2012, Abdelkarim Kahouli est
devenu Docteur en Physique pour ses travaux sur les "Nanostructures
GaN pour l'émission dans l'ultraviolet".
- Le 4 avril 2012, Martin Jouk (équipe Electro)
est devenu Docteur en Physique pour ses travaux sur l' "Etude de
la fabrication de nouveaux composants à base de nitrures de gallium
(GaN) pour des applications de puissance".
- [Voir les autres thèses soutenues...]
Marcin Zielinski
Informations diverses