Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses applications (en savoir plus sur l'épitaxie)
Situé dans la technopole de Sophia Antipolis, le laboratoire a choisi comme cœur de d’activité la croissance par épitaxie de matériaux semiconducteurs (majoritairement à large bande interdite) en couches épaisses, minces, hétéro-structures et nanostructures quantiques (puits, fils et boîtes). Le CRHEA dispose d’une palette complète de techniques pour synthétiser ces matériaux et les caractériser (voir notre activité). Ces matériaux sont ensuite utilisés pour des expériences de physique et d'optique fondamentales, ou pour réaliser des composants. Ces études se font très souvent dans le cadre de collaborations avec de nombreux laboratoires en France ou en Europe.
Le laboratoire est constitué d'une cinquantaine de membres qui joignent leurs forces pour faire avancer la recherche dans ses thématiques. Découvrez les équipes d'épitaxie et de caractérisation qui explorent ces champs thématiques :
De manière transversale à ces champs thématiques, l'équipe SCR (service commun de recherche) apporte une palette complète de méthodes d'analyses structurale et optique.
Pour vous faire une idée plus précise de notre activité, vous pouvez également consulter notre rapport d'activité 2006-2010 et consulter nos plus récentes publications.
Le terme "épitaxie", tiré du grec "epi" (par dessus) et "taxie" (ordre) a été proposé en 1928 par le minéralogiste français Royer pour désigner la juxtaposition de deux espèces cristallines. Actuellement, on utilise le terme d'épitaxie pour tout dépôt monocristallin dont l'orientation est fixée par un substrat. Si ce substrat est de même nature que le dépôt, on parle d'homoépitaxie, s'il est de nature différente, on emploie le terme d'hétéroépitaxie. [haut de page]
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